IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，可以被認(rèn)為是由MOSFET和BJT（雙極性三極管）混合形成的器件，但比MOSFET制作更困難和復(fù)雜，耐壓范圍更大。一般MOSFET器件或模塊的耐壓范圍為20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的高電壓，因此是電力電子領(lǐng)域的理想開(kāi)關(guān)器件。

根據(jù)英飛凌的技術(shù)，IGBT的發(fā)展可劃分為三個(gè)階段。第一階段是第一代和第二代IGBT所代表的平面柵極型IGBT。由于功率器件產(chǎn)品不追求制程，所以這類產(chǎn)品仍然暢銷，但第一代產(chǎn)品已經(jīng)基本被淘汰。第二階段是第三代和第四代IGBT所代表的溝槽柵極型IGBT。這種類型的產(chǎn)品通過(guò)創(chuàng)新的溝槽設(shè)計(jì)大大減少了IGBT的體積和功耗，并得到了廣泛的應(yīng)用。在這個(gè)階段，出現(xiàn)了第五代和第六代IGBT，這屬于溝槽格柵類型的改進(jìn)，結(jié)構(gòu)沒(méi)有太大變化。此外，第3階段過(guò)渡產(chǎn)品TrenchStop也出現(xiàn)在這個(gè)階段。第三階段是2018年后出現(xiàn)的微凹槽IGBT，大大降低了器件的體積和功耗。

IGBT可以根據(jù)工業(yè)設(shè)備中的信號(hào)指令調(diào)整電路中的電壓、電流、頻率和相位，達(dá)到精確控制的目的，在電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家電、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。根據(jù)電壓分布，消費(fèi)電子中使用的IGBT產(chǎn)品主要集中在600V以下，新能源汽車中使用的IGBT產(chǎn)品為600-1200V，動(dòng)車組中使用的IGBT模塊主要為3300V和6500V，軌道交通中使用的IGBT電壓在1700V-6500V之間，智能電網(wǎng)中使用的IGBT電壓通常為3300V。

車規(guī)級(jí)IGBT是指用于新能源汽車的IGBT產(chǎn)品，是電動(dòng)汽車逆變器的核心器件，類似于計(jì)算機(jī)中的CPU。IGBT控制和管理新能源汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)的性能和效率，在混合動(dòng)力汽車中，功率和發(fā)動(dòng)機(jī)的匹配和效率，使車輛在混合動(dòng)力模式下達(dá)到理想的駕駛狀態(tài)，由于新能源汽車的內(nèi)部結(jié)構(gòu)比其他電氣產(chǎn)品更復(fù)雜，對(duì)車輛標(biāo)準(zhǔn)級(jí)IGBT指標(biāo)的要求高于其他電氣產(chǎn)品， 例如，車規(guī)級(jí)IGBT的散熱效率標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)高于工業(yè)IGBT，逆變器內(nèi)的溫度高達(dá)120℃，還應(yīng)考慮強(qiáng)烈的振動(dòng)條件，車規(guī)級(jí)IGBT的性能指標(biāo)遠(yuǎn)高于工業(yè)級(jí)IGBT。

IGBT占新能源汽車整機(jī)總成本的5%以上，僅次于電池。電機(jī)和電機(jī)控制器是新能源汽車的核心部件，直接決定了車輛的行駛性能。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，IGBT主要存在于逆變器模塊中。逆變器的功能是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)。來(lái)自北斗航天汽車的數(shù)據(jù)顯示，電機(jī)和電機(jī)控制器分別約占車輛成本的4%和9%。在電機(jī)控制器內(nèi)部，IGBT模塊約占其成本的37%。因此，IGBT模塊約占整車成本的5%。如果在車載空調(diào)控制系統(tǒng)中加入IGBT，成本比重更高。此外，大功率電動(dòng)汽車也將對(duì)IGBT有越來(lái)越高的要求，這將間接增加IGBT在整個(gè)新能源汽車中的成本。

IGBT功率器件清洗

為應(yīng)對(duì)能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問(wèn)題，世界各國(guó)均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對(duì)這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。

目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對(duì)環(huán)保的管控和對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對(duì)此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。

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