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先進(jìn)封裝之3D-IC 面臨的最大挑戰(zhàn)與先進(jìn)封裝清洗介紹

合明科技 ?? 2163 Tags:先進(jìn)封裝3D-IC3D封裝清洗先進(jìn)封裝清洗


人們普遍認(rèn)為3D-IC是繼續(xù)突破平面 SoC 極限的途徑,也是將更多在不同工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)的異構(gòu)設(shè)備添加到同一封裝中的方法。但無(wú)論是平面 SoC 還是芯片組件,物理定律都是無(wú)法逾越的,工程師能使用的技巧非常有限,否則就會(huì)碰壁。



先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中較細(xì)的導(dǎo)線會(huì)增加電阻,從而增加熱量。而較大的結(jié)構(gòu)(如 3D-IC)則會(huì)擴(kuò)大熱梯度范圍。而此類結(jié)構(gòu)中散熱的方式有限,使情況更加惡化。負(fù)面影響包括電遷移等細(xì)微影響以及芯片起火等突發(fā)狀況。此外,隨著制造工藝節(jié)點(diǎn)下降到個(gè)位數(shù)納米范圍,進(jìn)而下降到埃范圍,控制或考慮變化變得更加困難,這可能會(huì)導(dǎo)致噪音增加和可靠性下降等嚴(yán)重問(wèn)題。所有這些都要求設(shè)計(jì)人員在最佳性能規(guī)格和不配合的物理現(xiàn)實(shí)之間找到越來(lái)越脆弱的平衡。




3D-IC 的復(fù)雜性增加了曾經(jīng)理論上存在的熱問(wèn)題的風(fēng)險(xiǎn),例如自發(fā) DRAM 刷新和可能導(dǎo)致設(shè)備關(guān)閉的熱失控。在光子學(xué)應(yīng)用中,熱量可以通過(guò)改變光的波長(zhǎng)來(lái)干擾通信。


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圖 1:芯片和封裝組件的溫度分布。

“熱也會(huì)導(dǎo)致時(shí)序問(wèn)題。高溫會(huì)導(dǎo)致線路延遲過(guò)高,從而降低電路速度。我們從代工廠那里聽(tīng)說(shuō),熱是世界的中心。”


熱量和工藝變化可能是獨(dú)立的問(wèn)題,也可能是彼此問(wèn)題的乘數(shù)。無(wú)論如何,它們可能會(huì)級(jí)聯(lián),需要有遠(yuǎn)見(jiàn)才能解決。“這些問(wèn)題可能有點(diǎn)正交。解決熱量問(wèn)題必須在更宏觀的層面上進(jìn)行。如果我遇到熱量問(wèn)題,最簡(jiǎn)單的第一步就是更改平面圖。如果這還不夠,我可以開(kāi)始考慮諸如在我的主動(dòng)設(shè)計(jì)中放置熱柱以將熱量從熱區(qū)吸走之類的事情。之后,我需要開(kāi)始考慮芯片在封裝中的位置。在最壞的情況下,如果我開(kāi)始沒(méi)有選擇,我必須更改封裝。我必須在上面放置散熱器,等等。這些都是在創(chuàng)建整體組件的整個(gè)生命周期中從最簡(jiǎn)單和成本最低的選項(xiàng)開(kāi)始。如果我可以左移,我就能盡早弄清楚這些問(wèn)題?!?/section>



翹曲是首要問(wèn)題


目前,3D-IC 面臨的最大挑戰(zhàn)是熱致翹曲。翹曲已從偶然問(wèn)題變?yōu)槌掷m(xù)問(wèn)題,因?yàn)楦叨榷逊e的異質(zhì)材料配置會(huì)導(dǎo)致溫度升高,并且需要復(fù)雜的熱系數(shù)建模以避免產(chǎn)量損失。此外,基板更薄,這降低了基板將熱量傳導(dǎo)出設(shè)備的能力。機(jī)械應(yīng)力是先進(jìn)設(shè)計(jì)的另一個(gè)不可避免的結(jié)果,它增加了3D-IC 多物理場(chǎng)的擔(dān)憂?!皺C(jī)械應(yīng)力問(wèn)題與熱問(wèn)題密切相關(guān)。隨著溫度升高,導(dǎo)線會(huì)變形,從而改變機(jī)械應(yīng)力。具體來(lái)說(shuō),主要擔(dān)心的似乎在于凸塊。我們是否獲得了良好的粘附性和凸塊清晰度,從而能夠正確且充分地形成歐姆接觸?晶圓開(kāi)裂是另一個(gè)值得關(guān)注的問(wèn)題,一般來(lái)說(shuō)翹曲也是如此。如果將東西堆疊在一起,那么你必須保證兩面都是平面的,否則就有出現(xiàn)氣隙或其他形式間隙的風(fēng)險(xiǎn)。任何一個(gè)都不能忽視。”


添加TSV也成為一個(gè)問(wèn)題。“你要挖出大洞,然后用其他材料填充它們,”Ferguson 解釋道?!叭绾卧诓灰鹉撤N形式的翹曲的情況下做到這一點(diǎn)并不容易。這一切都取決于你在開(kāi)始時(shí)如何控制芯片工藝,以確保它們盡可能平坦。下一步是小心堆疊東西的方式。例如,如果我們談?wù)摰氖菍⒁粋€(gè)芯片堆疊在另一個(gè)芯片上,或者將第二個(gè)芯片堆疊在晶圓上,第一步是確保你有良好的平面度方法。這取決于你如何填充,以及制造、化學(xué)機(jī)械拋光工藝,以及它們的調(diào)整程度。當(dāng)我們談?wù)摲浅1〉男酒瑫r(shí),這可能會(huì)變得更具挑戰(zhàn)性。如果你談?wù)摰氖菍蝹€(gè)芯片與其他芯片放在一起,那么有些情況下,一個(gè)芯片會(huì)故意懸在另一個(gè)芯片之上。這就像是一塊跳水板,一邊是陸地,另一邊是懸在水池里。這絕對(duì)是可能發(fā)生扭曲的地方。然而,這種解決方案是以犧牲性能為代價(jià)的,這使得設(shè)備缺乏競(jìng)爭(zhēng)力?!癧熱節(jié)流] 并不能解決問(wèn)題,“它檢測(cè)到問(wèn)題,然后付出代價(jià)來(lái)修復(fù)它。名義上無(wú)法達(dá)到額定性能,因?yàn)樾酒瑫?huì)不斷升溫并自我節(jié)流,所以成本非常高,而且它表明我們未能預(yù)測(cè)到這個(gè)問(wèn)題。它出現(xiàn)了,現(xiàn)在我們付出代價(jià)來(lái)降低功耗,但這不是你想要的。你想要的是能夠預(yù)測(cè)它?!?/section>


左移

不應(yīng)低估改變傳統(tǒng)工作流程的挑戰(zhàn)。鑒于人性,改變往往很難。設(shè)計(jì)師和公司可能沒(méi)有意識(shí)到改變長(zhǎng)期存在的工作流程的成本和時(shí)間優(yōu)勢(shì)??赡苄枰M(jìn)行一些艱難的經(jīng)濟(jì)分析才能說(shuō)服懷疑論者,盡管向左轉(zhuǎn)變最初會(huì)帶來(lái)破壞性影響,但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看將更具成本效益。左移可以幫助創(chuàng)建更穩(wěn)健、更可靠的設(shè)計(jì),但使用正確的工具,它還可以通過(guò)減少迭代次數(shù)來(lái)幫助整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程加快速度?!叭绻惚M早開(kāi)始進(jìn)行熱可行性分析,它會(huì)讓你知道你的布局問(wèn)題會(huì)在哪里,“所以你甚至可以在正確布局之前更改你的布局。如果你在最終封裝之前不考慮熱問(wèn)題,并且你已經(jīng)完成了每個(gè) IC 的物理布局,那就太晚了?!?/p>


可靠性

熱量和變化引起的問(wèn)題不再只是短期問(wèn)題??煽啃袁F(xiàn)在是多個(gè)市場(chǎng)的主要問(wèn)題,芯片用于關(guān)鍵應(yīng)用,并且預(yù)計(jì)使用壽命更長(zhǎng)。提高可靠性的最佳選擇是提前規(guī)劃,并盡可能建立冗余和彈性。


合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

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