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所以領(lǐng)先
一、晶圓級(jí)封裝的技術(shù)特點(diǎn)
晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging,簡(jiǎn)稱WLP)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù),它具有若干獨(dú)特的技術(shù)特點(diǎn),這些特點(diǎn)使其在集成電路行業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用和認(rèn)可。
1.尺寸緊湊
晶圓級(jí)封裝的一個(gè)顯著特點(diǎn)是其尺寸緊湊。由于在封裝過(guò)程中不需要額外的引線、鍵合和塑料工藝,封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸,這相比于傳統(tǒng)的封裝技術(shù),極大地減少了封裝體積。
2.高傳輸速度
相較于傳統(tǒng)的金屬引線產(chǎn)品,晶圓級(jí)封裝通常具有較短的連接線路。在高頻環(huán)境下,這種封裝技術(shù)表現(xiàn)出色,因?yàn)槠涓邆鬏斔俣瓤梢詽M足高效能應(yīng)用的要求。
3.高密度連接
WLP技術(shù)支持高密度連接,因?yàn)樗试S芯片和電路板之間的連接不僅限于芯片四周。這種設(shè)計(jì)提高了單位面積的連接密度,從而實(shí)現(xiàn)了更高的集成度。
4.生產(chǎn)周期短
晶圓級(jí)封裝從芯片制造到封裝再到成品的過(guò)程中的中間環(huán)節(jié)大大減少,這使得生產(chǎn)效率提高,生產(chǎn)周期顯著縮短。
5.工藝成本低
WLP技術(shù)是在硅片層面上完成封裝測(cè)試的,這種批量化的生產(chǎn)方式有助于實(shí)現(xiàn)成本最小化。此外,WLP可以充分利用晶圓制造設(shè)備和生產(chǎn)設(shè)施,從而降低了整體的工藝成本。
6.可靠性高
通過(guò)精確控制工藝參數(shù),晶圓級(jí)封裝可以提高封裝連接的可靠性和穩(wěn)定性。這種技術(shù)的特點(diǎn)使得它在高溫、高振動(dòng)等惡劣環(huán)境中也能保持良好的性能。
7.熱散效性好
有效的散熱設(shè)計(jì)是提高集成電路可靠性和性能的關(guān)鍵因素。晶圓級(jí)封裝通過(guò)合理的散熱設(shè)計(jì),可以降低溫度、減少焊接應(yīng)力并提高設(shè)備壽命.
晶圓級(jí)封裝(WLP)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù),它將芯片的封裝與芯片制造過(guò)程相結(jié)合,提高了生產(chǎn)效率和降低了成本。以下是晶圓級(jí)封裝的工藝流程的一些關(guān)鍵步驟:
首先,需要準(zhǔn)備好用于晶圓級(jí)封裝的相關(guān)材料,如底部基板、球柵陣列(BGA)、波士頓背面圖案(WLCSP)等1。
在底部基板上涂刷適量的焊膏,并通過(guò)印刷機(jī)器實(shí)現(xiàn)均勻分布。這一步驟決定了最終焊接的質(zhì)量1。
將裸露的芯片粘合到底部基板上,通常采用自動(dòng)貼裝機(jī)器將芯片精確地放置在指定位置上1。
通過(guò)回流爐對(duì)已貼裝的芯片進(jìn)行焊接,使得芯片與基板上的焊膏相互粘結(jié),形成穩(wěn)定的連接1。
根據(jù)需求,在芯片封裝之后可能還需進(jìn)行陶瓷球刻印、測(cè)試等處理步驟1。
在設(shè)計(jì)階段,需要考慮以下因素以確保成功實(shí)施晶圓級(jí)封裝工藝:
· 確定封裝方式:根據(jù)應(yīng)用和需求,選擇合適的晶圓級(jí)封裝方式。常見(jiàn)的封裝方式有裸芯、BGA(球柵陣列)和CSP(芯片級(jí)系統(tǒng))等。
· 電路設(shè)計(jì)與布局:在電路設(shè)計(jì)時(shí),考慮IC與其他組件之間的連接方式和布局,確保信號(hào)傳輸可靠性和最小功耗。
· 引腳排布和信號(hào)引出:對(duì)于高密度封裝,應(yīng)充分利用底面空間,并合理規(guī)劃引腳排布;對(duì)于信號(hào)引出方面,需要注重信號(hào)完整性、抗干擾能力和電磁兼容性。
· 散熱設(shè)計(jì):有效散熱是提高集成電路可靠性和性能的關(guān)鍵因素。通過(guò)合理的散熱設(shè)計(jì),可以降低溫度、減少焊接應(yīng)力并提高設(shè)備壽命3。
在加工階段需要注意以下關(guān)鍵要點(diǎn)以確保成功實(shí)施晶圓級(jí)封裝工藝:
· 芯片固定和連接:采用適當(dāng)?shù)恼辰Y(jié)劑將芯片固定在基底上,并使用可靠的金線/焊錫球等連接方法完成芯片與基底之間的電氣聯(lián)系。
· 封裝材料選擇:選擇適合封裝方式和工藝要求的材料,如黏合劑、導(dǎo)熱膠等。這些材料應(yīng)具備良好的耐熱性、導(dǎo)熱性和化學(xué)穩(wěn)定性。
· 控制溫度和濕度:加工過(guò)程中,需控制環(huán)境溫度和濕度,以保持穩(wěn)定的工藝條件,避免因環(huán)境因素引起的質(zhì)量問(wèn)題3。
測(cè)試與質(zhì)量管控是確保晶圓級(jí)封裝最終產(chǎn)品品質(zhì)的關(guān)鍵階段。以下是需要注意的要點(diǎn):
· 可靠性測(cè)試:通過(guò)各類可靠性測(cè)試(例如高溫老化、振動(dòng)測(cè)試等)來(lái)評(píng)估封裝產(chǎn)品在長(zhǎng)期使用情況下的可靠性。
· 尺寸與外觀檢查:對(duì)成品封裝產(chǎn)品進(jìn)行尺寸測(cè)量和外觀檢查,以驗(yàn)證其是否符合規(guī)定的尺寸限制和表面質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。
· 質(zhì)量管控記錄:建立完善的質(zhì)量管控體系,并記錄關(guān)鍵過(guò)程參數(shù)3。
在實(shí)施晶圓級(jí)封裝工藝過(guò)程中,可能會(huì)遇到一些問(wèn)題,如焊接不良、封裝失效、溫度問(wèn)題和膠合問(wèn)題等。這些問(wèn)題可以通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)、修復(fù)或更換損壞的設(shè)備、加強(qiáng)清潔環(huán)境控制等方式來(lái)解決1。
三、晶圓級(jí)先進(jìn)封裝芯片清洗劑選擇:
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。