堆疊封裝技術(shù)類型

一、堆疊封裝技術(shù)類型

堆疊封裝技術(shù)是一種將多個(gè)芯片在垂直方向上堆疊起來(lái)，實(shí)現(xiàn)更高密度集成電路的技術(shù)。以下是幾種常見(jiàn)的堆疊封裝技術(shù)類型：

1. 2.5D封裝技術(shù)

2.5D封裝是將芯片封裝到Si中介層上，并利用Si中介層上的高密度走線進(jìn)行互連。由于Si中介層上沒(méi)有有源器件，所以這種技術(shù)是通過(guò)Si中介層使多顆芯片在同一平面上互連，沒(méi)有形成芯片之間的三維堆疊，因此被稱為2.5D封裝。

2. 3D封裝技術(shù)

3D封裝則真正做到了芯片之間的垂直互連。英特爾推出的兩種3D封裝技術(shù)包括用于邏輯芯片堆疊的Foveros技術(shù)和由EMIB和Foveros封裝技術(shù)結(jié)合而成的Co-EMIB技術(shù)。

3. 多芯片模塊(MCM)封裝技術(shù)

MCM就是將多個(gè)IC芯片按功能組合進(jìn)行封裝，特別是三維(3D)封裝首先突破傳統(tǒng)的平面封裝的概念，組裝效率高達(dá)200%以上。它使單個(gè)封裝體內(nèi)可以堆疊多個(gè)芯片，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)容量的倍增。

4. 裸芯片疊層3D封裝技術(shù)

裸芯片疊層3D封裝先將生長(zhǎng)凸點(diǎn)的合格芯片倒扣并焊接在薄膜基板上，這種薄膜基板的材質(zhì)為陶瓷或環(huán)氧玻璃，其上有導(dǎo)體布線，內(nèi)部也有互連焊點(diǎn)，兩側(cè)還有外部互連焊點(diǎn)，然后再將多個(gè)薄膜基板進(jìn)行疊裝互連。

5. 扇出型晶圓級(jí)封裝(InFO)技術(shù)

臺(tái)積電的扇出型晶圓級(jí)封裝解決方案被稱為InFO,已用于蘋(píng)果iPhone7系列手機(jī)的A10應(yīng)用處理器封裝,其量產(chǎn)始于2016年。臺(tái)積電在2014年宣傳InFO技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備時(shí),稱重布線層(RDL)間距(pitch)更小(如10微米),且封裝體厚度更薄。

以上是幾種常見(jiàn)的堆疊封裝技術(shù)類型，每種技術(shù)都有其特定的優(yōu)勢(shì)和適用場(chǎng)景。

二、堆疊封裝技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域

堆疊封裝技術(shù)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。以下是堆疊封裝技術(shù)的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 高性能計(jì)算

堆疊封裝技術(shù)可以提高計(jì)算芯片的性能和功耗效率，適用于高性能服務(wù)器、超級(jí)計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。

2. 人工智能

堆疊封裝技術(shù)可以用于人工智能芯片的集成，提升人工智能系統(tǒng)的性能和能效。

3. 移動(dòng)通信

堆疊封裝技術(shù)可以用于移動(dòng)通信基站的芯片集成，減小基站體積，提高性能和能效。

4. 醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域

2023年整體堆疊技術(shù)市場(chǎng)將超過(guò)57億美元，其中醫(yī)療和工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用將是主力。

5. 數(shù)據(jù)中心

堆疊封裝技術(shù)可以提高服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的性能，同時(shí)減小物理空間占用。

6. 移動(dòng)設(shè)備

在移動(dòng)設(shè)備中使用堆疊封裝技術(shù)可以提高性能，同時(shí)減少電池消耗。

7. 通信系統(tǒng)

堆疊封裝技術(shù)可以用于提高通信系統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸速度和處理能力。

以上應(yīng)用領(lǐng)域均體現(xiàn)了堆疊封裝技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的重要價(jià)值和廣泛應(yīng)用前景。

三、堆疊封裝芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

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