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芯片的未來六點技術(shù)暢想與芯片封裝清洗的清洗劑選擇介紹

合明科技 ?? 2310 Tags:FET 堆疊芯片封裝清洗 GaN 功率晶體管

一、將構(gòu)成 CMOS 的兩個 FET 堆疊起來,將硅面積減少一半

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第一個是“下一代 CMOS 邏輯”領(lǐng)域中的“互補 FET (CFET)”。

CMOS 邏輯由至少兩個晶體管組成:一個 n 溝道 MOS FET 和一個 p 溝道 MOS FET。晶體管數(shù)量最少的邏輯電路是反相器(邏輯反相電路),由1個n溝道MOS和1個p溝道MOS組成。換句話說,它需要相當于兩個晶體管的硅面積。CFET 是這兩種類型 MOSFET 的三維堆疊。理論上,可以利用一個 FET 占據(jù)的硅面積來制作逆變器。與傳統(tǒng)CMOS相比,硅面積減半。但制造工藝相當復(fù)雜,挑戰(zhàn)重重,打造難度較大。

二、采用二維材料制成GAA結(jié)構(gòu)的納米片溝道


下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個有希望的候選者是溝道是過渡金屬二硫?qū)倩?(TMD) 化合物的二維材料(單層和極薄材料)的晶體管。當 MOSFET 的溝道尺寸縮短時,“短溝道效應(yīng)”成為一個主要問題,其中閾值電壓降低且變化增加。減輕短溝道效應(yīng)的一種方法是使溝道變薄。TMD很容易形成單分子層,原則上可以創(chuàng)建最薄的溝道。TMD 溝道最初被認為是一種用于小型化傳統(tǒng)平面 MOSFET 的技術(shù)(消除了對鰭結(jié)構(gòu)的需要)。最近,選擇TMD作為環(huán)柵(GAA)結(jié)構(gòu)的溝道材料的研究變得活躍。候選溝道材料包括二硫化鉬(MoS2)、二硫化鎢(WS2)和二硒化鎢(WSe2)。

三、石墨烯、釕和鎢將取代銅 (Cu) 互連

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多層布線是支持CMOS邏輯擴展的重要基礎(chǔ)技術(shù)。人們擔心,當前流行的銅(Cu)多層互連的電阻率將由于小型化而迅速增加。因此,尋找金屬來替代 Cu 的研究非?;钴S。候選材料包括石墨烯、釕 (Ru) 和鎢 (W)。宣布嘗試使用石墨烯(一種片狀碳同素異形體)進行多層布線。當我們制作不同寬度的互連原型并將其電阻與銅互連進行比較時,我們發(fā)現(xiàn)寬度為15 nm或更小的石墨烯互連的電阻率低于銅互連的電阻率。石墨烯的接觸電阻率也比銅低四個數(shù)量級。將金屬離子嵌入石墨烯中可以改善互連的電性能,使其成為下一代互連的有前途的材料。

四、將存儲器等元件納入多層布線過程

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一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程(BEOL)中的存儲器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是 CMOS 邏輯電路。因此,理論上,BEOL 中內(nèi)置的元件不會增加硅面積。它是提高存儲密度和元件密度的一種手段。

五、將計算功能納入傳感器中

我還想關(guān)注“傳感器內(nèi)計算技術(shù)”,它將某種計算功能集成到傳感器中。包括展示基于 3D 單片集成技術(shù)的智能圖像傳感器。使用 20nm 節(jié)點 FinFET 技術(shù),將類似于 IGZO DRAM 的存儲層單片層壓在 CMOS 電路層的頂部,并在其頂部層壓由二維材料 MoS2 制成的光電晶體管陣列層。光電晶體管陣列的布局為5×5。

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六、在硅晶圓上集成 GaN 功率晶體管和 CMOS 驅(qū)動器

對于能帶隙比 Si 更寬的化合物半導(dǎo)體器件(寬禁帶器件),在 Si 晶圓上制造氮化鎵 (GaN) 基 HEMT 的運動十分活躍。6400萬像素、像素尺寸為0.5μm見方的小型CMOS圖像傳感器。在圖像傳感器中,顯著的成果包括像素數(shù)量的增加、像素尺寸的減小、噪聲的減少以及自動對焦功能的進步。

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七、芯片封裝清洗的污染物與清洗劑選擇:

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。


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