雙面 SiP 模型與SiP 在5G器件中的應(yīng)用趨勢介紹

在這里首先要搞清楚 SiP 在封裝中的層次從微系統(tǒng)的集成方式上來看,微系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方式主要有SoC、SiP 以及封裝系統(tǒng)(System of Package,SoP)SoC 是基于單片的集成,Si 是基于多芯片的封裝集成,而 SoP 則是基于封裝的系統(tǒng)集成.三者的層次是由低到高的,也就是說,在 SiP 中可以出現(xiàn) SOC 集成的芯片,在 SoP 中也會(huì)包含多個(gè) SiP 器件我們可以認(rèn)為,SiP 是處在芯片與整機(jī)系統(tǒng)間的功能器件的封裝SiP 是將多個(gè)具有不同功能的有源電子器件和可以選擇的無源器件,以及諸如 MEMS 或者光學(xué)器件等其他的器件,組裝為可以提供多種功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝器件,形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng).siP 的封裝特征與 5G 毫米波器件封裝的要求十分相符.現(xiàn)在所說的 SiP 技術(shù)是在 2000 年左右出現(xiàn)的各種 SiP尤其是射頻部分.在移動(dòng)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用.2.5D/3D 形式的 SiP 封裝被認(rèn)為是未來發(fā)展的重點(diǎn)方向,因?yàn)檫@是后摩爾時(shí)代突破摩爾定律下器件尺寸的一個(gè)重要突破口.

二、雙面SiP

在5G低于6GHz器件封裝的方案中較先進(jìn)的雙面SiP 獲得運(yùn)用與普通單面SiP 相比雙面SiP 可以進(jìn)一步提高系統(tǒng)的集成度,減小封裝尺寸,并提高系統(tǒng)性能.雙面 SiP 是一種熱封裝解決方案,采用了雙面 SMT 和雙面成型來縮小整個(gè)模塊的尺寸.雙面SiP 簡化了 PKG I/O 計(jì)數(shù)提高了電源效率減小了噪聲排放.從電集成的角度來看,雙面 SiP 由于較短的信號(hào)傳輸路徑可以獲得比其他并排倒裝芯片 SiP 結(jié)構(gòu)更好的電性能:從熱性能來看,高熱解決方案可提高24%~38%雙面SiP 模塊可以為 5G封裝提供一種先進(jìn)的解決方案,以解決 5G 器件的性能、可靠性、尺寸和成本的需求。

雙面 SiP 模型與單面模型相比,可以允許在一個(gè)小的模型上面出現(xiàn)更多模塊,其固然增大了封裝空間的利用率,但是由于散熱路徑的重疊,其散熱性能是不得忽視的一個(gè)問題.針對(duì)雙面 SiP 結(jié)構(gòu)的散熱問題,Chen 等人使用紅外相機(jī)和熱電偶分析與比較了單/雙面 SiP 模塊的熱性能.為了改善雙面 SiP 的散熱,該團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了以下幾個(gè)措施:(1) 單面封裝用焊球連接 PCB,而雙面封裝用銅球連接,由于銅的導(dǎo)熱系數(shù)高于焊料,因此,它可以幫助快速傳熱;(2) 暴露模具,即高溫不應(yīng)包裹在聚合物材料中,且把填充物(Underfill)放在模塊和 PCB 之間的間隙中;(3)另一個(gè)重要的改進(jìn)是 PCB 設(shè)計(jì)的替代.增加 PCB 上的散熱孔和散熱路徑,增加 PCB 的銅含量如此以來,經(jīng)改進(jìn)后的雙面 SiP 散熱得到了改善,且接近于單面 SiP此外,他們建立的利用模擬的方法進(jìn)行了相同的測試圖 2 為該團(tuán)隊(duì)建立的單面 SiP 和雙面  SiP的模型模擬結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果最大誤差在 8.4% 以內(nèi),且模擬結(jié)果表明.當(dāng)基板增加了更多的銅后,熱性能大大改善并且在模塊與PCB間填充Underfi11后模塊與基板間形成了流暢的熱路徑。

三、SiP 在5G器件中的應(yīng)用趨勢

5G 技術(shù)的發(fā)展,會(huì)將電子產(chǎn)業(yè)帶人一個(gè)新的領(lǐng)域.由于 5G 技術(shù)的先進(jìn)性,將會(huì)使電子產(chǎn)品的性能獲得極大的提升.與此同時(shí),人們也需要在這之中獲得便利,即這些電子產(chǎn)品要具有較高的便攜性.以手機(jī)為例,從最早的智能手機(jī)時(shí)代開始,每次發(fā)售的新手機(jī)都引人了一些新的功能,比如雙卡雙待、指紋識(shí)別多攝像頭、移動(dòng)支付、人臉識(shí)別等新功能,這些都增加了手機(jī)的耗電量.但是以現(xiàn)有的技術(shù),大幅度增加鉀電池的電量密度是難以實(shí)現(xiàn)的.這就要求系統(tǒng)級(jí)封裝和模組化技術(shù)的發(fā)展.以此來實(shí)現(xiàn)手機(jī)的外觀輕薄和減小功耗.SiP從封裝和組裝為切入點(diǎn)以高精度的表面貼裝技術(shù)(Surface Mounted Technology,SMT) 和先進(jìn)封裝技術(shù),將若干裸芯片和微型的無源器件進(jìn)行高度的集成化,并成為微型化的高性能組件，成熟運(yùn)用 SiP 技術(shù)可以加快 5G 技術(shù)的研發(fā)過程.也可以極大程度上簡化電子產(chǎn)品的制造流程.為人們的生活帶來更多便利.

未來滿足 5G 器件的功能性、小型化、可靠性以及成本效益要求根據(jù) Inan Ndip 等人的總結(jié)SiP的架構(gòu)以及封裝材料和互連必須滿足以下要求.

(1) 性能需求.如電磁兼容性、信號(hào)完整性、電源完整性、高增益的天線陣列、高品質(zhì)因數(shù)的無源器件.

(2)可靠性要求5G 器件的 SiP 結(jié)構(gòu)必須充分考慮到散熱性能以及熱穩(wěn)定性,并且要盡可能杜絕正常使用過程中的熱機(jī)械可靠性問題.

(3)小型化要求SiP 必須能夠使未來的 5G 器件小型化,從而能夠達(dá)到隨時(shí)集成到其他組件/模塊上的目的.

(4) 成本要求.在滿足使用要求的前提下,SiP 應(yīng)該盡可能降低成本.

對(duì)于上述幾個(gè)問題,除了從封裝材料以及組裝方法上著手,從工藝和結(jié)構(gòu)上進(jìn)行考慮也是必要的.例如,在工藝上可以利用面板級(jí)封裝工藝制作 SiP,同時(shí)制作數(shù)百個(gè) 5G 模塊,分?jǐn)偝杀緩慕Y(jié)構(gòu)方面考慮,為了滿足 5G 器件小型化要求以及高性能的要求就必須使SiP 脫離傳統(tǒng)的二維層面,逐漸向著2.5D SiP,特別是 3D SiP 的方向進(jìn)發(fā)此外較為先進(jìn)的雙面 SiP也在 5G 及之后的高頻毫米波器件的封裝中得到了用武之地,雙面SiP 不需要使用中介層(interposer)來實(shí)現(xiàn) SiP,從而能夠在保證小型化和提高集成度的同時(shí)降低成本.

四、SiP芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。