芯片制造是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的中游，也是核心環(huán)節(jié)，并且是技術(shù)難度最高的環(huán)節(jié)之一。在半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備和基礎(chǔ)材料領(lǐng)域，我國(guó)整體自主化水平仍低。從全球晶圓制造的地區(qū)分布看，我國(guó)大陸地區(qū)晶圓廠整體占據(jù) 16%的市場(chǎng)份額，但主要產(chǎn)能在10nm以上制程，先進(jìn)制程的產(chǎn)能規(guī)模顯著不足。華為麒麟系列芯片的發(fā)展也面臨晶圓制造環(huán)節(jié)的短板，但如果其 9000i 芯片完全實(shí)現(xiàn)自主生產(chǎn)，意味著我國(guó)本土晶圓制造產(chǎn)業(yè)鏈自主化水平的顯著提升。   

制造設(shè)備也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，包括光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等，這些設(shè)備是制造半導(dǎo)體產(chǎn)品所必需的，并且材料方面，芯片制造需要使用高純度的半導(dǎo)體材料，如硅片、砷化鎵等。國(guó)內(nèi)企業(yè)對(duì)半導(dǎo)體材料制備技術(shù)的研究和開發(fā)程度不足，仍需提高材料的質(zhì)量和純度。但國(guó)內(nèi)整體芯片制造企業(yè)數(shù)量較少，反觀歐美等芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá)的國(guó)家和地區(qū)，巨頭是非常多的，因?yàn)樾酒袠I(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈，投入大，只有巨頭才能持續(xù)投入和產(chǎn)出，抗風(fēng)險(xiǎn)能力才強(qiáng)，我們知道2023年是半導(dǎo)體行業(yè)的寒冬，雖然十大設(shè)計(jì)企業(yè)的進(jìn)入門檻從70億元降低到65億元，但整體增長(zhǎng)率高達(dá)51%。目前，十大設(shè)計(jì)企業(yè)的銷售合計(jì)達(dá)到1829.2億元，行業(yè)占比為31.7%，與2022年同期的1226.5億元，占比22.9%相比，有了明顯改善。這說(shuō)明，當(dāng)行業(yè)處于下行周期時(shí)，頭部企業(yè)的抗壓能力更強(qiáng)。

我國(guó)晶圓加工設(shè)備的整體自主化水平較低，光刻設(shè)備對(duì)ASML等公司的光刻機(jī)依賴度高，當(dāng)前上海微電子等光刻機(jī)研發(fā)企業(yè)持續(xù)提升技術(shù)實(shí)力，已經(jīng)具備28nm以上制程的研發(fā)生產(chǎn)能力。在北方華創(chuàng)、中微公司等頭部公司的引領(lǐng)下，我國(guó)刻蝕和薄膜沉積設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率得到顯著提升，而在量檢測(cè)領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)設(shè)備的滲透率仍低。從半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口地的變化看，非美設(shè)備的占比明顯提升。2020 年，美國(guó)設(shè)備占我國(guó)采購(gòu)份額的 53%，預(yù)計(jì)到 2023 年將回落至 43%。   

據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的晶圓制造龍頭臺(tái)積電營(yíng)收超5千億元，在全球晶圓代工廠中占據(jù) 63%的市場(chǎng)份額。聯(lián)電和格芯排第二、三名，大陸地區(qū)晶圓代工企業(yè)中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)和晶合集成分別位列第四、五和第九名。全球前十大晶圓代工廠市場(chǎng)份額達(dá) 94.6%，而中國(guó)大陸地區(qū)三家晶圓廠的市場(chǎng)份額為10.88%，相較2021年提升0.56個(gè)百分點(diǎn)。

但國(guó)內(nèi)仍主要以中低端產(chǎn)品為主。雖然有一些企業(yè)在不斷加大投入，提升制造工藝水平，但與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)相比，仍存在一定的差距。同時(shí)，由于受到材料、設(shè)備等方面的限制，國(guó)內(nèi)制造企業(yè)的生產(chǎn)效率和良品率也相對(duì)較低，同時(shí)，國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)也面臨著一些挑戰(zhàn)和困難。首先，芯片制造需要大量的資金投入，包括設(shè)備購(gòu)置、技術(shù)研發(fā)、人力成本等；其次，國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)缺乏核心技術(shù)和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，需要加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新和人才培養(yǎng)力度；此外，國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)還需要面對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)壓力，需要不斷提高自身的競(jìng)爭(zhēng)力。因此“國(guó)產(chǎn)替代”的路還很長(zhǎng)，但機(jī)遇較大，若國(guó)內(nèi)廠商把握住機(jī)會(huì)，還是可以更上一層樓的。   

封裝測(cè)試是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的下游環(huán)節(jié)，也是國(guó)內(nèi)企業(yè)最為集中的環(huán)節(jié)之一。封裝測(cè)試是最后一個(gè)環(huán)節(jié)。按照分裝方式，可分為 WB/FC×BGA/CSP 等四類，其中 FCBGA 技術(shù)要求最高。隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，封裝測(cè)試企業(yè)數(shù)量也在不斷增加，且技術(shù)水平不斷提升。目前，國(guó)內(nèi)主要的封裝測(cè)試企業(yè)包括長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技等。這些企業(yè)在封裝測(cè)試領(lǐng)域有著豐富的經(jīng)驗(yàn)和較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力，能夠滿足國(guó)內(nèi)外企業(yè)的需求。

國(guó)內(nèi)芯片封裝測(cè)試行業(yè)近年來(lái)得到了快速發(fā)展，技術(shù)水平和市場(chǎng)規(guī)模不斷提高。目前，中國(guó)已經(jīng)成為全球最大的芯片封裝測(cè)試市場(chǎng)之一，且增速明顯高于全球水平。國(guó)內(nèi)封測(cè)市場(chǎng)在全球占比達(dá)70%，大陸企業(yè)市場(chǎng)占有率為20%左右，行業(yè)的規(guī)模優(yōu)勢(shì)明顯。中國(guó)封裝業(yè)起步早、發(fā)展快，中國(guó)大陸封測(cè)環(huán)節(jié)在全球已經(jīng)具備一定的競(jìng)爭(zhēng)力。2020年全球前十大封測(cè)企業(yè)中，中國(guó)大陸企業(yè)長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技分別位列3、6、7名。   

在技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試企業(yè)已經(jīng)具備了先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)能力，如BGA、WLCSP、SiP等。這些技術(shù)的應(yīng)用使得芯片封裝更加小型化、高密度化和高性能化。同時(shí)，國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試企業(yè)也在積極引進(jìn)國(guó)際先進(jìn)技術(shù)，提高自身的技術(shù)水平和研發(fā)能力。

摩爾定律想必大家都知道，其核心內(nèi)容是集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每18個(gè)月到24個(gè)月會(huì)增加一倍。但隨著芯片制程不斷縮小，摩爾定律即將被打破。早在2018年，芯片實(shí)際性能與摩爾定律的要求間的差距擴(kuò)大了15倍。隨著摩爾定律被打破，伴隨而來(lái)的就是成本的上升。5nm芯片的晶圓廠建設(shè)成本高達(dá)54億美元，是28nm的6倍。系統(tǒng)異質(zhì)整合是提升系統(tǒng)性能，降低成本的關(guān)鍵技術(shù)之一，需要依賴先進(jìn)封裝技術(shù)。   

在市場(chǎng)規(guī)模方面，國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試行業(yè)呈現(xiàn)出快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的下游應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)非常廣泛，且市場(chǎng)潛力巨大。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2011年至2020年，中國(guó)封裝測(cè)試行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模由975.7億元增長(zhǎng)至2509.5億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為11.1%。同時(shí)，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，封裝測(cè)試市場(chǎng)的需求也持續(xù)增長(zhǎng)，為行業(yè)發(fā)展提供了廣闊的空間?？傮w來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)芯片封裝測(cè)試行業(yè)已經(jīng)具備了一定的規(guī)模和實(shí)力，并在技術(shù)水平和市場(chǎng)規(guī)模方面不斷取得進(jìn)展。未來(lái)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試企業(yè)有望實(shí)現(xiàn)更高水平的發(fā)展。

半導(dǎo)體芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。