常見的幾種功率半導體器件及功率半導體器件清洗

合明科技發(fā)布時間：2024-01-08 ?? 2366 Tags：功率半導體器件功率半導體器件清洗碳化硅（SiC）功率器件

常見的幾種功率半導體器件

1、MCT MOS控制晶閘管

MCT是一種新型MOS與雙極復合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動下MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器件。實質(zhì)上MCT是一個MOS門極控制的晶閘管。它可在門極上加一窄脈沖使其導通或關(guān)斷，它由無數(shù)單胞并聯(lián)而成。

它與GTR，MOSFET，IGBT，GTO等器件相比，有如下優(yōu)點：

（1）電壓高、電流容量大，阻斷電壓已達3000V，峰值電流達1000A，最大可關(guān)斷電流密度為6000kA/m2；

（2）通態(tài)壓降小、損耗小，通態(tài)壓降約為11V；

（3）極高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已達20kV/s，di/dt為2kA/s；

（4）開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，開通時間約200ns，1000V器件可在2s內(nèi)關(guān)斷。

2、IGCT

IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。

IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點。在導通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT芯片在不串不并的情況下，二電平逆變器功率0.5~3MW，三電平逆變器1~6MW；若反向二極管分離，不與IGCT集成在一起，二電平逆變器功率可擴至4/5MW，三電平擴至9MW。

3、IEGT 電子注入增強柵晶體管

IEGT是耐壓達4kV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進一步擴大電流容量方面頗具潛力。

4、IPEM 集成電力電子模塊

IPEM是將電力電子裝置的諸多器件集成在一起的模塊。IPEM實現(xiàn)了電力電子技術(shù)的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統(tǒng)噪聲和寄生振蕩，提高了系統(tǒng)效率及可靠性。

5、PEBB

電力電子積木PEBB（Power Electric Building Block）是在IPEM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的可處理電能集成的器件或模塊。雖然它看起來很像功率半導體模塊，但PEBB除了包括功率半導體器件外，還包括門極驅(qū)動電路、電平轉(zhuǎn)換、傳感器、保護電路、電源和無源器件。多個PEBB模塊一起工作可以完成電壓轉(zhuǎn)換、能量的儲存和轉(zhuǎn)換、陰抗匹配等系統(tǒng)級功能，PEBB最重要的特點就是其通用性。

6、超大功率晶閘管

晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍。現(xiàn)在許多國家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV／4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV／4kA和6kV／6kA的光觸發(fā)晶閘管（LTT），美國和歐洲主要生產(chǎn)電觸發(fā)晶閘管。預計在今后若干年內(nèi)，晶閘管仍將在高電壓、大電流應用場合得到繼續(xù)發(fā)展。

7、脈沖功率閉合開關(guān)晶閘管

該器件特別適用于傳送極強的峰值功率（數(shù)MW）、極短的持續(xù)時間（數(shù)ns）的放電閉合開關(guān)應用場合，如：激光器、高強度照明、放電點火、電磁發(fā)射器和雷達調(diào)制器等。該器件能在數(shù)kV的高壓下快速開通，不需要放電電極，具有很長的使用壽命，體積小、價格比較低，可望取代目前尚在應用的高壓離子閘流管、引燃管、火花間隙開關(guān)或真空開關(guān)等。

8、新型GTO器件－集成門極換流晶閘管

當前已有兩種常規(guī)GTO的替代品：高功率的IGBT模塊、新型GTO派生器件－集成門極換流IGCT晶閘管。

9、高功率溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT模塊

當今高功率IGBT模塊中的IGBT元胞通常多采用溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT。與平面柵結(jié)構(gòu)相比，溝槽柵結(jié)構(gòu)通常采用1μm加工精度，從而大大提高了元胞密度。

10、電子注入增強柵晶體管IEGT

與IGBT一樣，它也分平面柵和溝槽柵兩種結(jié)構(gòu)，前者的產(chǎn)品即將問世，后者尚在研制中。IEGT兼有IGBT和GTO兩者的某些優(yōu)點：低的飽和壓降，寬的安全工作區(qū)（吸收回路容量僅為GTO的1/10左右），低的柵極驅(qū)動功率（比GTO低2個數(shù)量級）和較高的工作頻率。加之該器件采用了平板壓接式電極引出結(jié)構(gòu)，可望有較高的可靠性。

11、MOS門控晶閘管

MOS門極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。

12、砷化鎵二極管

與硅快恢復二極管相比，這種新型二極管的顯著特點是：反向漏電流隨溫度變化小、開關(guān)損耗低、反向恢復特性好。

13、碳化硅與碳化硅（SiC）功率器件

在用新型半導體材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅（SiC）功率器件。它的性能指標比砷化鎵器件還要高一個數(shù)量級，碳化硅與其他半導體材料相比，具有下列優(yōu)異的物理特點：高的禁帶寬度，高的飽和電子漂移速度，高的擊穿強度，低的介電常數(shù)和高的熱導率。而且，SiC器件的開關(guān)時間可達10nS量級，并具有十分優(yōu)越的FBSOA。

功率半導體器件清洗：

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