5G通信、人工智能、元宇宙等新技術(shù)的涌現(xiàn)使得光通信行業(yè)快速發(fā)展。光模塊作為光通信設(shè)備中完成光電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件,與服務(wù)器暴增的算力和數(shù)據(jù)交互直接配套。因此,能夠滿足高速數(shù)據(jù)傳輸、海量數(shù)據(jù)處理等要求的高性能光模塊產(chǎn)品成為數(shù)字化發(fā)展關(guān)鍵基礎(chǔ)。
光模塊中的核心器件是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換的光收發(fā)器件,主要包括光發(fā)射器件 TOSA、光接收器件 ROSA 和通過同軸耦合將 TOSA 和 ROSA 等組件集成的光發(fā)射接收器件 BOSA。當(dāng)前光模塊的技術(shù)壁壘主要就在于光收發(fā)器件的光芯片和封裝技術(shù)這兩個(gè)方面。 光模塊生產(chǎn)工藝的核心環(huán)節(jié)主要包括貼片、引線鍵合、光學(xué)耦合、封裝、焊接、老化測試等
圖 光模塊生產(chǎn)工藝主要環(huán)節(jié)貼片(Die attach or Die bonding)是指將半導(dǎo)體裸片(die)器件貼在載體(carrier)上。光模塊中的半導(dǎo)體裸片器件主要是光電芯片,其原材料包括GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)、Si(硅基)等;貼片的載體主要包括PCB、可伐合金、陶瓷基板(AlN氮化鋁等)、鎢銅等。貼片可分為手動(dòng)和自動(dòng),目前光模塊貼片已實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。傳統(tǒng)的貼片工藝是人工涂膠或使用點(diǎn)膠機(jī)通過空氣擠壓出的膠水將芯片固定在 PCB 板上,但光芯片的貼片要求比電芯片的貼片要求精度更高,傳統(tǒng)貼片無法達(dá)到精準(zhǔn)控制膠量大小、上膠速度和位置等嚴(yán)格要求,因此高精度貼片機(jī)就顯得尤為重要,而且隨著 400G、800G 等高速光模塊的快速發(fā)展,高精度貼片機(jī)的需求也愈加旺盛。當(dāng)前高精度貼片機(jī)市場主要依賴進(jìn)口,國產(chǎn)替代空間廣闊。
另外,貼片主要通過共晶焊和導(dǎo)電膠完成固定。共晶焊料一般使用金錫焊料,雖然導(dǎo)電性和可靠性更好,但價(jià)格昂貴、效率較低,多用于激光器芯片貼裝;導(dǎo)電膠一般用銀膠,電阻大,但成本低、工藝簡單、適用范圍更廣。此外,還有紫外UV固化膠可用于一些電芯片的貼裝。 引線鍵合(Wire-Bonding)是指芯片貼裝完成后,用金屬引線將芯片的壓焊位連接在印制電路板的焊盤上,形成可靠的電氣鍵合,俗稱打線。引線鍵合按照鍵合能量可分為熱壓鍵合、超聲鍵合、以及二者結(jié)合的熱超聲鍵合;按照鍵合線的材料分為金絲、鋁絲、銅絲。光通信行業(yè)一般采用金絲熱超聲鍵合,因?yàn)楣怆娦酒谋砻嫫毡闀?huì)鍍金,金的高頻性能好,而熱超聲鍵合的溫度較低、速度快,可靠性更好。
在引線鍵合的過程中,根據(jù)劈刀和焊點(diǎn)形狀可分為球焊和楔焊。球焊使用毛細(xì)管劈刀,可形成球狀焊點(diǎn),與焊盤接觸面積大,可靠性好,速度快,使用場景最廣;楔焊使用楔形劈刀,可形成方形焊點(diǎn),與焊盤接觸面積小,可靠性較差,速度較慢,一般只用于高頻信號(hào)焊盤之間的引線鍵合。
耦合是光模塊封裝中工時(shí)最長、最容易產(chǎn)生不良品的步驟。光模塊實(shí)現(xiàn)光電和電光轉(zhuǎn)換,因此一端是電口,連接網(wǎng)線/交換機(jī),另一端是光口,連接光纖。光纖導(dǎo)光的物理基礎(chǔ)是入射光在光纖內(nèi)部發(fā)生全反射,光學(xué)耦合的目的就是將光高效、高質(zhì)地耦合進(jìn)入光纖。根據(jù)光纖的不同,可以把光模塊分為單模和多模,這兩種光模塊內(nèi)部的光學(xué)耦合差別較大。多模光纖(MMF)的纖芯直徑通常為 50/125μm 或 62.5/125μm,普遍采用面發(fā)射激光器 VCSEL,經(jīng)反射鏡耦合進(jìn)入多模光纖中,光路簡單、容差大、工藝相對簡單。而單模光纖(SMF)單模光纖纖芯直徑比多模光纖小,通常為 9μm,耦合較為復(fù)雜, 需要透鏡進(jìn)行聚焦耦合。透鏡耦合大概分為上料、預(yù)耦合、點(diǎn)膠、膠水固化、下料5個(gè)步驟。
光模塊中用到的透鏡按形狀可分為球面和非球面,按材質(zhì)主要有玻璃、硅、塑料等,優(yōu)缺點(diǎn)對比如下表。玻璃透鏡是傳統(tǒng)工藝中經(jīng)常用的材料,價(jià)格較貴,常用于高端模塊;硅透鏡價(jià)格便宜,目前已大量應(yīng)用于中低端COB、Box封裝模塊中;光學(xué)塑料透鏡常用PEI塑料,價(jià)格便宜,可應(yīng)用于多模短距模塊中。
完成光路耦合后,光模塊已形成雛形,下一步的外殼封裝將使之完整。封裝通常分氣密性封裝和非氣密性封裝。氣密性封裝目的是為了防止外部的水汽和其他有害氣體進(jìn)入密封光器件內(nèi)部,影響光芯片和相關(guān)零組件的性能。為了實(shí)現(xiàn)封裝的可靠密封,封裝外殼上電通路所使用的電介質(zhì)一般為非有機(jī)材料,如玻璃或者陶瓷。
氣密性封裝的方式主要有To-can、BOX (盒式)、蝶形封裝,主要應(yīng)用在工作環(huán)境復(fù)雜,對可靠性要求高的電信市場或者DCI市場(數(shù)據(jù)中心長距離傳輸)。非氣密性封裝主要是COB(板上芯片封裝)封裝技術(shù),多用于數(shù)據(jù)中心光模塊。
To-Can同軸封裝成本低廉、生產(chǎn)制造簡單,但體積較小導(dǎo)致散熱不佳使其不適用于長距離傳輸,主要應(yīng)用于基站、PON等單通道的傳輸距離和傳輸速率要求低一點(diǎn)的市場,如2.5Gbit/s和10Gbits/s等短距離傳輸。儲(chǔ)能焊設(shè)備可用于To-Can氣密性封裝。BOX/蝶形通常為長方體,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,具有可實(shí)現(xiàn)多種功能、散熱好等優(yōu)點(diǎn),適用于長距離多種速率傳輸,主要應(yīng)用于傳輸網(wǎng)、多通道居多,傳輸速率高,傳輸距離長,對可靠性要求高,包括40G/100G/200G/400G及相應(yīng)速率的相干光模塊;BOX封裝為蝶形封裝的多通道升級(jí)版,適用于40G及以上速率的高速光模塊,隨著400G、800G時(shí)代的到來,將對并行光學(xué)設(shè)計(jì)提出更高的要求。采用平行封焊設(shè)備可實(shí)現(xiàn)Box氣密封裝。 COB封裝也是板上芯片封裝、有線印制板封裝,是直接在印制電路板上安裝裸芯片,用金線或銅線將芯片引腳與印制電路板的接觸點(diǎn)連接起來的封裝工藝。COB封裝可以將芯片封裝在極小的體積內(nèi),不需要外殼或支架等附加配件,具有尺寸小、重量輕、可靠性高、成本低等優(yōu)點(diǎn),廣泛用于微型電子設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中。光模塊中焊接工藝包括激光焊接、熱壓焊接(hot bar)、烙鐵焊接、熱風(fēng)焊接、回流焊接、波峰焊接、電子壓焊等。氣密密封焊接需要在填充惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行,通常采用的惰性氣體是純氮?dú)饣驓鍤狻?nbsp; 單模類的光模塊一般使用激光調(diào)整焊接(laser welding)將Receptacle和Box或TO-can焊接起來,這種焊接工藝自動(dòng)化程度較高,除了上下料需要人工操作外其他步驟基本可以由激光調(diào)整焊設(shè)備完成。
多模光模塊集成度高,大量使用FPC軟板,焊接需使FPC軟板和PCBA板形成電氣互聯(lián)。目前行業(yè)內(nèi)主要用熱壓焊來完成軟板焊接,有相應(yīng)的熱壓焊設(shè)備,效率和良率都較高;激光焊接是近幾年的新技術(shù),目前的行業(yè)接受度不高,最大的特點(diǎn)是焊接時(shí)不接觸焊盤,對高密度pin軟板焊接有優(yōu)勢,但也有難保證激光照射均勻性,效率低,成本高等缺點(diǎn)。
老化(burn in),也可以稱為老煉,是一種篩選測試,按照MIL-STD-883的定義,其目的是為了篩選或者剔除本身具有固有缺陷,或其制造工藝控制不當(dāng)產(chǎn)生缺陷的器件。這些缺陷會(huì)造成與時(shí)間和應(yīng)力相關(guān)的失效,如果不進(jìn)行老化篩選,有缺陷的器件在使用條件下會(huì)出現(xiàn)初期致命失效或早期壽命失效。
光模塊內(nèi)部的激光器由于結(jié)構(gòu)和制程工藝復(fù)雜,需要進(jìn)行老化,其他光電器件除APD外,不需要進(jìn)行老化。在目前大部分光模塊廠家的生產(chǎn)工序中,一般有兩道針對激光器的burn in篩選測試。 第一道是激光器的管芯級(jí),是在激光器完成必要的生產(chǎn)步驟,如外延生長、刻蝕、外觀檢查后,裝載到專用的老化夾具上進(jìn)行,有比較成熟的商業(yè)化設(shè)備,國外廠家有ILX Lightwave、Chroma,國內(nèi)廠家有蘇州聯(lián)訊(Stelight)、上海菲萊(Feedlight)。根據(jù)不同測試方案,可以區(qū)分為在線測試?yán)匣头至y試?yán)匣?。在線測試?yán)匣梢猿掷m(xù)記錄BI過程中的激光器數(shù)據(jù),但是測試成本高,一般用于設(shè)計(jì)階段的少量樣品驗(yàn)證測試。分立測試?yán)匣窃诶匣_始和結(jié)束時(shí)分別記錄激光器數(shù)據(jù),測試成本低,一般用于批量化生產(chǎn)。第二道是光模塊級(jí),是在激光器組裝到光模塊內(nèi)后,通過測試夾具進(jìn)行的,目前尚沒有商業(yè)化設(shè)備,多數(shù)光模塊廠商使用自研設(shè)備進(jìn)行測試。在測試方案上,在線測試和分立測試都有,一般根據(jù)模塊的DDM進(jìn)行激光器參數(shù)記錄,因此從成本上并無太大差異。從生產(chǎn)和成本管控角度上看,第一道管芯級(jí)激光器burn in篩選測試應(yīng)力大,目的是盡可能地篩選出早期失效產(chǎn)品,第二道模塊級(jí)burn in測試更多地只是對第一道測試的補(bǔ)充。
光模塊清洗
為應(yīng)對能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問題,世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用,促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。
目前,大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗,隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高,原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此,合明提出新型的IGBT清洗方案。
合明科技半水基清洗工藝解決方案,采用合明科技專利配方,可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜,更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料;配方材料親水性強(qiáng),清洗后易于用水漂洗干凈。
歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。
以上便是IGBT功率器件清洗劑廠,IGBT功率器件的DCB襯底功能介紹,希望可以幫到您!
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。