凸塊工藝流程與技術(shù)

圓片級(jí)凸塊工藝

主流的凸塊工藝均采用圓片級(jí)加工，即在整片圓片表面的所有芯片上加工制作凸塊，稱(chēng)為圓片級(jí)凸塊工藝，常用方式有，蒸發(fā)方式、印刷方式電鍍方式。

焊球電鍍凸塊的工藝流程:

首先，采用濺射或其它物理氣相沉積的方式在圓片表面沉積一層Ti/Cu作為電鍍所需種子層。

其次，在圓片表面旋涂一定厚度的光刻膠，并運(yùn)用光刻曝光工藝形成所需要圖形;

然后，圓片進(jìn)入電鍍機(jī)，通過(guò)控制電鍍電流、時(shí)間等，從光刻膠開(kāi)窗圖形的底部開(kāi)始生長(zhǎng)并得到一定厚度的金屬層作為UBM;

最后，通過(guò)去除多余光刻膠、UBMEtching及回流工藝實(shí)現(xiàn)電鍍凸塊制作

焊球電鍍凸塊的工藝流程:

倒裝芯片工藝指在芯片的IOPad上直接沉積或者通過(guò)RDL布線后沉積Bump(包括錫鉛球，銅柱凸點(diǎn)及金凸點(diǎn)等Bump)，然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合。

與傳統(tǒng)引線鍵合工藝其優(yōu)點(diǎn)有:倒裝封裝產(chǎn)品示意圖I/O密度高。

采用了凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，互連長(zhǎng)度大大縮短，互連線電阻、電感更小，封裝的電性能極大改善;

芯片中產(chǎn)生的熱量可通過(guò)焊料凸點(diǎn)直接傳輸?shù)椒庋b襯底

業(yè)界常見(jiàn)倒裝芯片的凸點(diǎn)技術(shù):

FlipChipBGA(FC-BGA)是將芯片利用Flip Chip(FC)技術(shù)焊接在線路基板上，并制成倒裝芯片球柵數(shù)組封裝型式(FC-BGA)。

錫凸塊FC-BGA封裝工藝流程

MLP PoP 為例，封裝工藝流程為:

PoP封裝體底部組件與頂部組件的連接方式包括:錫球連接(Attachedwith Solder Ball);MLP (Molding Laser Package);柔性基板連接及BVA(Bond Via Array)

圓片級(jí)芯片尺寸封裝工藝流程與技術(shù)(WLCSP)

圓片級(jí)芯片尺寸封裝是指在圓片狀態(tài)下完成重布線、凸點(diǎn)下金屬、焊錫球制備以及圓片級(jí)的探針測(cè)試，然后再將圓片進(jìn)行背面研磨減薄，最終切割形成單顆的一種封裝形式

特點(diǎn)及應(yīng)用:

>輕、薄、短、小，主要用在手機(jī)等便攜產(chǎn)品中;

應(yīng)用在電源管理器件(PMIC)、集成無(wú)源組件(IPD)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、射頻前端(RF Front-end)

綜合分類(lèi):

(1)BoP-WLCSP(Bump on Pad-WLCSP):直接在鋁墊的上方生長(zhǎng)UBM并放置焊球:

(2)RDL-WLCSP(Redistribution Layer-WLCSP):重布線對(duì)I/O端子的位置進(jìn)行再分布。

扇出型圓片級(jí)封裝工藝流程與技術(shù)

扇出型圓片級(jí)封裝是圓片級(jí)封裝的一種，可支持多芯片、2.5D/3D和系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)

扇出型圓片級(jí)封裝特點(diǎn)及應(yīng)用:

可徹底去除芯片和封裝的連接環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)最薄的封裝，還減少了一個(gè)可能的失效點(diǎn)而提高封裝的可靠性;

信號(hào)進(jìn)入芯片的線路更短，也具有更好的電性能:

提供了更高的帶寬，從而更加適應(yīng)先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)芯片的封裝

典型的扇出型圓片級(jí)封裝技術(shù)工藝流程-eWLB:

硅通孔封裝工藝流程與技術(shù)(TSV)

硅通孔TSV是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一?；赥SV封裝核心工藝分為T(mén)SV制造、RDL/微凸點(diǎn)加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持

1.TSV制造分類(lèi)及流程:

一種是孔底部不需要直接導(dǎo)電連接的制造類(lèi)型，另一種是孔底部需要直接導(dǎo)電連接的制造類(lèi)型。

 芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。