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先進(jìn)芯片封裝的其他創(chuàng)新設(shè)想與實(shí)現(xiàn)途徑:異構(gòu)和小芯片、混合鍵合

合明科技 ?? 2429 Tags:混合鍵合先進(jìn)芯片封裝清洗 AP技術(shù)

異構(gòu)和小芯片:徹底改變AP路線圖

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異構(gòu)和小芯片代表了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和封裝的范式轉(zhuǎn)變。異構(gòu)概念涉及結(jié)合不同的材料、工藝和設(shè)備來(lái)創(chuàng)建一個(gè)統(tǒng)一的系統(tǒng)。這種方法可以將多種功能小芯片無(wú)縫集成在單個(gè)封裝上,從而釋放半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造的新可能性。

另一方面,Chiplet 是異構(gòu)的一個(gè)基本方面。根據(jù)我們?cè)?Yole 的定義,小芯片方法代表了一種新興的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)理念,它將兩個(gè)或多個(gè)分立芯片組合在分解的 SiP 設(shè)計(jì)中。與可能的單片替代方案相比,小芯片提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性、更快的上市時(shí)間、更高的良率和經(jīng)濟(jì)效益。小芯片的功能涵蓋典型處理器 SoC 中的基本知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 塊,包括中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU)、神經(jīng)處理單元 (NPU)、I/O 和內(nèi)存控制器以及接口、高速緩存存儲(chǔ)器和模擬功能(SerDes、PLL、DAC、ADC、PHY 等)。

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混合鍵合:彌合異構(gòu)領(lǐng)域的差距

混合鍵合是一項(xiàng)新技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的垂直堆疊,從而可顯著提高器件的性能、功能和可靠性。它是異構(gòu)的關(guān)鍵推動(dòng)者,可在鍵合過(guò)程中提供卓越的精度和可靠性?;旌湘I合可確保小芯片之間牢固可靠的連接,從而增強(qiáng)它們?cè)谙冗M(jìn)封裝平臺(tái)中的集成。這項(xiàng)技術(shù)開(kāi)啟了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的新可能性,使得開(kāi)發(fā)曾經(jīng)被認(rèn)為不可能的尖端解決方案成為可能。
混合鍵合是一項(xiàng)尖端技術(shù),可實(shí)現(xiàn)多種芯片架構(gòu),滿(mǎn)足 HPC、人工智能、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等高端應(yīng)用的需求。隨著該技術(shù)的成熟,受益于高性能芯片間連接,預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)展到消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用、存儲(chǔ)設(shè)備以及移動(dòng)和汽車(chē)應(yīng)用。異構(gòu)的概念正在推動(dòng)封裝技術(shù)的創(chuàng)新,以滿(mǎn)足特定的性能、尺寸、功耗和成本要求?;旌湘I合成為高端異構(gòu)應(yīng)用的可行途徑,將微小的銅焊盤(pán)嵌入電介質(zhì)中,形成電介質(zhì)到電介質(zhì)和金屬到金屬的鍵合。這種接合技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn),例如顯著增加的 I/O 連接、最小的信號(hào)延遲、擴(kuò)展的帶寬、更高的存儲(chǔ)密度以及改進(jìn)的功率和速度效率。

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先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵,為人工智能、5G 和 HPC 鋪平了道路。多樣化的 AP 平臺(tái),包括扇出封裝、WLCSP、fcBGA/CSP、SiP 和 2.5D/3D 堆疊封裝,加上異構(gòu)和小芯片的變革潛力,正在重塑半導(dǎo)體格局。

隨著生成式人工智能時(shí)代的展開(kāi),AP技術(shù)將繼續(xù)推動(dòng)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)更小、更強(qiáng)大的電子設(shè)備,推動(dòng)我們進(jìn)入充滿(mǎn)無(wú)限可能的未來(lái)。半導(dǎo)體行業(yè)將繼續(xù)發(fā)展,而 AP 將保持領(lǐng)先地位,釋放新功能并塑造明天的技術(shù)。

隨著 AP 技術(shù)的不斷進(jìn)步,可以預(yù)見(jiàn)更多突破性的應(yīng)用程序和解決方案將在未來(lái)幾年重新定義我們與技術(shù)交互的方式。該路線圖體現(xiàn)了 AP 技術(shù)的演變,突出了小型化和密度增加的明顯趨勢(shì)。然而,它也強(qiáng)調(diào)了創(chuàng)新停滯不前的領(lǐng)域,表明未來(lái)需要突破或替代方法。

先進(jìn)芯片封裝清洗:

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。

 


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