芯片作為現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的核心，對(duì)于國(guó)家的科技實(shí)力和經(jīng)濟(jì)發(fā)展至關(guān)重要。最近，中國(guó)在芯片領(lǐng)域取得了重大突破，開(kāi)啟了中國(guó)科技創(chuàng)新和自主發(fā)展的新時(shí)代。這一突破不僅在世界范圍內(nèi)引起了巨大的轟動(dòng)和關(guān)注，也展示了中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的崛起和實(shí)力，成為國(guó)際科技舞臺(tái)上的重要一筆。

據(jù)清華大學(xué)公眾號(hào)10月9日消息，近期，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱基于存算一體計(jì)算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片，在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破，有望促進(jìn)人工智能、自動(dòng)駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的發(fā)展。該研究成果日前發(fā)表在《科學(xué)》上。

憶阻器存算一體學(xué)習(xí)芯片及測(cè)試系統(tǒng) （圖片來(lái)源：清華大學(xué)）

記憶電阻器，是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后，仍能“記憶”電阻狀態(tài)，被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。

面向傳統(tǒng)存算分離架構(gòu)制約算力提升的重大挑戰(zhàn)，吳華強(qiáng)、高濱聚焦憶阻器存算一體技術(shù)研究，探索實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)新范式。憶阻器存算一體技術(shù)在底層器件、電路架構(gòu)和計(jì)算范式上全面顛覆了馮·諾依曼傳統(tǒng)計(jì)算架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)算力和能效的跨越式提升，同時(shí)，該技術(shù)還可利用底層器件的學(xué)習(xí)特性，支持實(shí)時(shí)片上學(xué)習(xí)，賦能基于本地學(xué)習(xí)的邊緣訓(xùn)練新場(chǎng)景。

課題組基于存算一體計(jì)算范式，創(chuàng)造性提出適配憶阻器存算一體實(shí)現(xiàn)高效片上學(xué)習(xí)的新型通用算法和架構(gòu)，通過(guò)算法、架構(gòu)、集成方式的全流程協(xié)同創(chuàng)新，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片。

憶阻器芯片的研發(fā)面臨著技術(shù)挑戰(zhàn)和工程挑戰(zhàn)。

據(jù)了解，憶阻器芯片的研發(fā)涉及到材料科學(xué)、物理學(xué)、電子工程等多學(xué)科的前沿知識(shí)。在諸多技術(shù)難題中，首先要解決的是如何實(shí)現(xiàn)憶阻器件的大規(guī)模集成。通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)和理論研究，團(tuán)隊(duì)提出了架構(gòu)-電路-工藝協(xié)同優(yōu)化方法，為存算一體系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供了指導(dǎo)。

有了大規(guī)模集成的工藝、關(guān)鍵的電路設(shè)計(jì)，如何克服底層多尺度非理想導(dǎo)致的誤差，集合成一個(gè)高效的系統(tǒng)芯片？在團(tuán)隊(duì)老師和學(xué)生的共同努力下，研究提出STELLAR 架構(gòu)，完成算法優(yōu)化及仿真實(shí)驗(yàn)，制備出全系統(tǒng)集成的高效存算一體學(xué)習(xí)芯片，實(shí)現(xiàn)速度和能效的大幅提升。

展望未來(lái)，隨著憶阻器的存儲(chǔ)和計(jì)算集成芯片的進(jìn)一步發(fā)展和優(yōu)化，人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)將迎來(lái)更廣闊的應(yīng)用前景。無(wú)論是在物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、智慧醫(yī)療還是智能家居等領(lǐng)域，這種新型芯片都將為高效計(jì)算和學(xué)習(xí)提供強(qiáng)有力的支持，推動(dòng)人工智能技術(shù)的普及和發(fā)展。清華大學(xué)集成電路研究所的這一研究成果，必將為我國(guó)在芯片領(lǐng)域的自主創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐，為科技進(jìn)步和國(guó)家安全提供重要保障。

消息來(lái)源：清華大學(xué)公眾號(hào)