一、半導(dǎo)體功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

半導(dǎo)體功率器件封裝涉及多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，這些技術(shù)旨在提高器件的性能、可靠性和適用性。

（一）熱管理技術(shù) 熱管理在半導(dǎo)體功率器件封裝中是極為關(guān)鍵的技術(shù)。功率器件在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生熱量，如果不能有效散熱，會(huì)導(dǎo)致器件溫度升高，進(jìn)而影響其性能和可靠性。例如，高溫可能會(huì)降低半導(dǎo)體材料的載流子遷移率、增加漏電流等。

• 散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：合理的散熱結(jié)構(gòu)可以增大散熱面積，提高散熱效率。像在一些功率模塊封裝中，采用鰭片式散熱器結(jié)構(gòu)，通過(guò)增加與空氣的接觸面積來(lái)強(qiáng)化散熱。此外，還有采用熱管技術(shù)的散熱結(jié)構(gòu)，熱管內(nèi)部的工質(zhì)在蒸發(fā)和冷凝過(guò)程中傳遞熱量，其等效導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)金屬，能快速將熱量從芯片傳導(dǎo)出去。

• 熱界面材料（TIM）：熱界面材料的導(dǎo)熱系數(shù)直接影響散熱性能。高導(dǎo)熱系數(shù)的TIM可有效降低器件的工作溫度。例如，常見(jiàn)的導(dǎo)熱硅脂，它填充在芯片與散熱器之間的微小間隙中，減少熱阻。另外，還有一些新型的熱界面材料，如燒結(jié)銀材料，相比傳統(tǒng)的焊錫膏，具有更高的導(dǎo)熱性和更好的高溫穩(wěn)定性，適用于高性能功率器件封裝，在高溫高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景下，能夠保證更好的熱傳導(dǎo)效果。

（二）封裝材料的選擇與應(yīng)用

• 高導(dǎo)熱性材料：為了滿足功率半導(dǎo)體的散熱需求，封裝材料需要具備高導(dǎo)熱性。例如，金屬材料中的銅，其導(dǎo)熱系數(shù)較高，常被用于制造散熱基板等部件。陶瓷材料如氮化鋁（AlN）也具有良好的導(dǎo)熱性和電絕緣性，在一些對(duì)散熱和絕緣要求較高的功率器件封裝中得到應(yīng)用。

• 高耐熱性材料：功率器件在工作時(shí)可能會(huì)處于高溫環(huán)境，因此封裝材料的耐熱性至關(guān)重要。例如，一些特殊的工程塑料，經(jīng)過(guò)改性后可以承受較高的溫度，在低功率和中功率的功率器件封裝中廣泛使用，既能夠保護(hù)芯片，又具有一定的成本優(yōu)勢(shì)。而對(duì)于高功率、高溫工作的器件，像碳化硅（SiC）、氮化硅（Si?N?）等陶瓷材料以及一些高溫合金則更為適用。

• 高電絕緣性材料：在功率器件封裝中，要防止不同電極之間的短路，所以高電絕緣性材料不可或缺。塑料封裝材料通常具有較好的電絕緣性，例如環(huán)氧樹(shù)脂，它可以在保護(hù)芯片的同時(shí)，保證芯片各電極之間的絕緣性能。陶瓷材料同樣具有優(yōu)秀的電絕緣性，在高電壓、高功率的功率器件封裝中使用，可確保器件的安全性和可靠性。

（三）芯片連接技術(shù)

• 鍵合技術(shù)：這是芯片與封裝引腳或基板連接的重要技術(shù)。常見(jiàn)的鍵合方式有引線鍵合和倒裝芯片鍵合。

• 引線鍵合：通過(guò)金屬絲（如金線、鋁線）將芯片的電極與封裝的引腳或基板上的焊盤連接起來(lái)。這種方式技術(shù)成熟、成本低，適用于大多數(shù)功率器件封裝。但是，引線鍵合存在寄生電感較大的問(wèn)題，對(duì)于高速開(kāi)關(guān)的功率器件可能會(huì)產(chǎn)生不利影響。

• 倒裝芯片鍵合：芯片的電極通過(guò)焊料凸點(diǎn)直接與基板上的對(duì)應(yīng)焊盤連接，芯片倒置安裝。這種連接方式具有更小的寄生電感、更高的電流承載能力和更好的散熱性能，適用于高性能功率器件封裝。例如，在一些高頻、高功率密度的功率模塊封裝中，倒裝芯片鍵合技術(shù)能夠提高器件的整體性能。

• 燒結(jié)技術(shù)：燒結(jié)技術(shù)是一種新興的芯片連接技術(shù)，主要用于功率器件的芯片與基板之間的連接。燒結(jié)銀技術(shù)就是其中的典型代表。燒結(jié)銀連接具有高導(dǎo)熱性、高可靠性和良好的高溫穩(wěn)定性，能夠在高溫、高功率密度的工作環(huán)境下保持良好的連接性能。與傳統(tǒng)的焊接技術(shù)相比，燒結(jié)銀連接的機(jī)械強(qiáng)度更高，在功率器件的長(zhǎng)期運(yùn)行過(guò)程中不易出現(xiàn)連接失效的問(wèn)題，有助于提高功率器件封裝的整體可靠性和使用壽命。

（四）封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

• 小型化與集成化設(shè)計(jì)：隨著電子設(shè)備的不斷小型化，功率器件封裝也朝著小型化和集成化方向發(fā)展。通過(guò)優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，可以在更小的封裝體積內(nèi)容納更多的功能。例如，系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）技術(shù)將多個(gè)功率半導(dǎo)體器件和其他元器件集成在一個(gè)封裝內(nèi)，提高了系統(tǒng)集成度，減小了體積和重量。在一些智能手機(jī)充電器、可穿戴設(shè)備等對(duì)體積要求嚴(yán)格的產(chǎn)品中，小型化和集成化的功率器件封裝能夠滿足其緊湊設(shè)計(jì)的需求。

• 模塊化設(shè)計(jì)：將多個(gè)功率器件或功率模塊組合成一個(gè)更大的功能模塊，方便在不同的應(yīng)用場(chǎng)景中進(jìn)行集成和使用。例如，在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，采用模塊化的功率器件封裝，可以方便地將逆變器、DC - DC轉(zhuǎn)換器等功能模塊集成在一起，提高了系統(tǒng)的組裝效率和可靠性。模塊化設(shè)計(jì)還可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求對(duì)模塊的功率、電壓、電流等參數(shù)進(jìn)行定制，增強(qiáng)了功率器件封裝的通用性和靈活性。

二、半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)原理

半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)基于多個(gè)原理，以實(shí)現(xiàn)對(duì)功率器件的保護(hù)、電氣連接、散熱等功能。

（一）保護(hù)原理

• 物理保護(hù)：封裝為功率器件提供了物理屏障，防止芯片受到外界環(huán)境的物理?yè)p傷，如碰撞、振動(dòng)、灰塵和濕氣等。例如，塑料封裝材料可以將芯片包裹起來(lái)，起到緩沖和隔離的作用，避免芯片在運(yùn)輸、安裝和使用過(guò)程中受到機(jī)械損傷。在一些惡劣的工作環(huán)境中，如工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙等，封裝的物理保護(hù)作用尤為重要。

• 化學(xué)保護(hù)：防止芯片受到化學(xué)物質(zhì)的侵蝕。外界環(huán)境中的化學(xué)物質(zhì)，如酸、堿、鹽等，可能會(huì)腐蝕芯片的金屬電極或半導(dǎo)體材料。封裝材料可以隔絕這些化學(xué)物質(zhì)，保護(hù)芯片的化學(xué)穩(wěn)定性。例如，陶瓷封裝具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，能夠在一些化學(xué)腐蝕性較強(qiáng)的環(huán)境中保護(hù)功率器件。

（二）電氣連接原理

• 信號(hào)傳輸：封裝要實(shí)現(xiàn)功率器件芯片與外部電路之間的電氣連接，以確保信號(hào)的正常傳輸。在封裝過(guò)程中，通過(guò)鍵合技術(shù)（如引線鍵合或倒裝芯片鍵合）將芯片的電極與封裝的引腳或基板上的焊盤連接起來(lái)，形成完整的電氣通路。這樣，輸入信號(hào)可以準(zhǔn)確地傳遞到芯片內(nèi)部，芯片處理后的輸出信號(hào)也能夠順利地傳輸?shù)酵獠侩娐贰?/p>

• 電氣隔離：為了避免不同電極之間的短路，封裝結(jié)構(gòu)需要提供電氣隔離。例如，在多層基板封裝中，通過(guò)絕緣層將不同的導(dǎo)電層隔離開(kāi)來(lái)，保證各個(gè)電極之間的絕緣性。同時(shí)，封裝材料本身也具有一定的電絕緣性，如塑料封裝材料中的環(huán)氧樹(shù)脂可以防止芯片電極之間的短路，確保功率器件的正常工作。

（三）散熱原理

• 熱傳導(dǎo)：基于熱傳導(dǎo)原理將芯片產(chǎn)生的熱量傳遞出去。功率器件在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量會(huì)通過(guò)芯片與封裝基板、散熱片等部件之間的接觸傳導(dǎo)出去。封裝材料的導(dǎo)熱性對(duì)熱傳導(dǎo)效率有著重要影響。例如，使用高導(dǎo)熱性的金屬材料（如銅）作為散熱基板，可以快速將熱量從芯片傳導(dǎo)到散熱片上。同時(shí)，良好的芯片連接技術(shù)（如燒結(jié)技術(shù)）也能夠提高芯片與基板之間的熱傳導(dǎo)效率，減少熱阻。

• 熱對(duì)流：在一些散熱結(jié)構(gòu)中，利用熱對(duì)流原理來(lái)增強(qiáng)散熱效果。例如，風(fēng)冷散熱系統(tǒng)中，空氣流過(guò)散熱鰭片時(shí)，通過(guò)熱對(duì)流將熱量帶走。在設(shè)計(jì)封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，會(huì)考慮空氣的流動(dòng)路徑和散熱鰭片的布局，以優(yōu)化熱對(duì)流效果。對(duì)于一些高功率密度的功率器件封裝，液冷技術(shù)也被廣泛應(yīng)用。液冷系統(tǒng)中，冷卻液通過(guò)管道在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部循環(huán)，利用液體的高比熱容和良好的流動(dòng)性，通過(guò)熱對(duì)流將熱量帶走，相比風(fēng)冷散熱具有更高的散熱效率。

三、半導(dǎo)體功率器件封裝的最新發(fā)展

半導(dǎo)體功率器件封裝在不斷發(fā)展，以適應(yīng)新的應(yīng)用需求和技術(shù)挑戰(zhàn)。

（一）向更高功率密度發(fā)展

• 更小的封裝尺寸與更高的集成度：隨著電子設(shè)備不斷朝著小型化、輕量化方向發(fā)展，功率器件封裝也需要在更小的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率處理能力。例如，晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）技術(shù)將封裝尺寸縮小到接近芯片本身的大小，同時(shí)集成了更多的功能。在智能手機(jī)、平板電腦等便攜式電子設(shè)備中，WLCSP封裝的功率器件能夠滿足其對(duì)小尺寸和高功率密度的要求。這種高集成度的封裝還減少了封裝與芯片之間的連接長(zhǎng)度，降低了寄生參數(shù)，提高了電氣性能。

• 高效散熱技術(shù)的創(chuàng)新：為了在小尺寸封裝下實(shí)現(xiàn)高功率密度，高效散熱技術(shù)是關(guān)鍵。除了傳統(tǒng)的風(fēng)冷和液冷技術(shù)外，一些新型的散熱技術(shù)也在不斷涌現(xiàn)。例如，微通道冷卻技術(shù)，通過(guò)在芯片或封裝基板上制作微小的冷卻通道，使冷卻液在通道內(nèi)高速流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)高效散熱。這種技術(shù)能夠在極小的空間內(nèi)帶走大量的熱量，適用于高功率密度的功率器件封裝，如數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器芯片封裝、高性能圖形處理器（GPU）封裝等。

（二）適應(yīng)寬禁帶半導(dǎo)體的封裝需求

• 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件的封裝：寬禁帶半導(dǎo)體材料（如SiC和GaN）具有優(yōu)異的性能，如高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電子飽和速度、高熱導(dǎo)率等，在新能源汽車、電力電子、5G通信等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。然而，這些材料的特性也對(duì)封裝技術(shù)提出了新的要求。例如，SiC器件工作溫度高、開(kāi)關(guān)速度快，需要封裝能夠承受高溫、具有低寄生電感。針對(duì)這些需求，封裝技術(shù)不斷創(chuàng)新，如采用特殊的高溫封裝材料、優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)以降低雜散電感等。在SiC功率模塊封裝中，雙面散熱封裝技術(shù)可以有效提高散熱效率，滿足其高功率密度和高溫工作的要求。

• 提高可靠性和性能：為了充分發(fā)揮寬禁帶半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)，封裝技術(shù)需要提高器件的可靠性和整體性能。例如，通過(guò)改進(jìn)芯片連接技術(shù)（如采用燒結(jié)銀連接代替?zhèn)鹘y(tǒng)焊接）可以提高連接的可靠性和導(dǎo)熱性。同時(shí)，優(yōu)化封裝的電氣性能，減少寄生電容和電感，能夠提高寬禁帶半導(dǎo)體器件在高頻、高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的性能。

（三）3D封裝技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展

• 多層芯片堆疊：3D封裝技術(shù)通過(guò)將多個(gè)芯片垂直堆疊，可以在不增加封裝平面面積的情況下增加功能和提高集成度。在功率器件封裝中，多層芯片堆疊可以將不同功能的芯片（如功率芯片、控制芯片等）集成在一起，實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的功能。例如，在一些電源管理模塊中，將功率MOSFET芯片和控制芯片堆疊封裝，可以減小模塊的體積，提高功率轉(zhuǎn)換效率。多層芯片堆疊還可以通過(guò)優(yōu)化芯片之間的連接方式，減少信號(hào)傳輸延遲，提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

• 硅通孔（TSV）技術(shù)：TSV技術(shù)是3D封裝中的關(guān)鍵技術(shù)之一。它通過(guò)在芯片上制作垂直的硅通孔，實(shí)現(xiàn)芯片之間的直接電氣連接。在功率器件封裝中，TSV技術(shù)可以用于連接堆疊的功率芯片，提高電流傳輸能力和散熱效率。例如，在一些高功率密度的射頻功率放大器封裝中，采用TSV技術(shù)可以有效降低寄生電感，提高放大器的性能。

四、常見(jiàn)半導(dǎo)體功率器件封裝類型

常見(jiàn)的半導(dǎo)體功率器件封裝類型各有特點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。

（一）雙列直插式封裝（DIP）

• 特點(diǎn)：

• DIP是最早的功率半導(dǎo)體封裝形式，技術(shù)成熟，成本低。它具有標(biāo)準(zhǔn)化的引腳布局，易于在印刷電路板（PCB）上進(jìn)行插件安裝。例如，在早期的電子設(shè)備如收音機(jī)、電視機(jī)等中，DIP封裝的功率器件得到了廣泛應(yīng)用。

• 但是，DIP封裝的尺寸較大，不利于電子設(shè)備的小型化。其引腳較長(zhǎng)，會(huì)引入較大的寄生電感和電容，在高頻應(yīng)用中性能受限。

• 應(yīng)用場(chǎng)景：DIP封裝適用于低功率、低頻率的應(yīng)用場(chǎng)景，如一些簡(jiǎn)單的電源管理電路、低功率的信號(hào)放大電路等。在一些對(duì)成本較為敏感、對(duì)體積和性能要求不高的工業(yè)控制設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備中，DIP封裝仍然有一定的市場(chǎng)份額。

（二）晶體管輪廓封裝（TO）

• 特點(diǎn)：

• TO封裝具有散熱性能好、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。它的外殼通常為金屬材質(zhì)，能夠有效地將芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去。例如，TO - 220封裝是一種常見(jiàn)的TO封裝形式，其金屬外殼可以直接安裝散熱片，適用于中大功率的功率器件。

• TO封裝的形式多樣，可根據(jù)具體需求進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)。不同的TO封裝形式在引腳數(shù)量、引腳間距、封裝尺寸等方面有所不同，可以滿足各種功率器件的封裝需求。

• 應(yīng)用場(chǎng)景：TO封裝廣泛應(yīng)用于高壓、大電流功率半導(dǎo)體器件中，如電力電子領(lǐng)域中的整流二極管、功率晶體管、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等。在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明等領(lǐng)域，TO封裝的功率器件能夠滿足高功率、高可靠性的要求。

（三）小外形封裝（SOP）

• 特點(diǎn)：

• SOP封裝尺寸小，適用于表面貼裝技術(shù)（SMT）。這使得它在PCB板上占用的空間小，有利于電子設(shè)備的小型化。例如，在現(xiàn)代智能手機(jī)、平板電腦等便攜式電子設(shè)備中，SOP封裝的功率器件被廣泛應(yīng)用于電源管理芯片等。

• SOP封裝的功率半導(dǎo)體器件具有較高的可靠性。其封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，能夠在一定程度上抵抗外界環(huán)境的影響，如溫度變化、濕度變化等。

• SOP封裝的生產(chǎn)效率高，成本低。由于其采用表面貼裝技術(shù)，適合大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)，能夠降低生產(chǎn)成本。

• 應(yīng)用場(chǎng)景：SOP封裝主要適用于低功率和中功率的應(yīng)用，如電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、照明等領(lǐng)域的器件。在一些對(duì)成本和體積較為敏感的消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域，SOP封裝是一種常見(jiàn)的選擇。

（四）無(wú)引腳封裝（QFN）

• 特點(diǎn)：

• QFN封裝具有較小的封裝尺寸和較高的熱性能。它沒(méi)有傳統(tǒng)的引腳，而是通過(guò)芯片底部的焊盤與PCB板直接連接，減少了引腳帶來(lái)的寄生電感和電容，提高了電氣性能。同時(shí)，這種連接方式也有利于散熱，因?yàn)樾酒撞康拇竺娣e焊盤可以直接與PCB板上的散熱銅箔接觸。

• 然而，QFN封裝的生產(chǎn)工藝較復(fù)雜，成本較高。其封裝過(guò)程需要高精度的設(shè)備和工藝控制，對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求也較高。

• 應(yīng)用場(chǎng)景：QFN封裝適用于高頻、高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。在一些高性能的射頻功率放大器、高速數(shù)字電路中的電源管理芯片等器件中，QFN封裝能夠滿足其對(duì)電氣性能和散熱性能的要求。

（五）晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）

• 特點(diǎn)：

• WLCSP封裝具有超小的封裝尺寸和優(yōu)秀的熱性能。它將封裝尺寸縮小到接近芯片本身的大小，減少了封裝與芯片之間的連接長(zhǎng)度，從而降低了寄生參數(shù)，提高了電氣性能。同時(shí)，由于封裝尺寸小，其散熱路徑短，散熱效率高。

• WLCSP封裝的技術(shù)門檻較高，需要先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和工藝。例如，在芯片上直接制作焊球等連接結(jié)構(gòu)需要高精度的光刻、蝕刻等工藝，對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度要求也非常高。

• 應(yīng)用場(chǎng)景：WLCSP封裝適用于高集成度、高功率密度的芯片封裝。在智能手機(jī)、平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的處理器芯片、電源管理芯片等，以及一些高端的可穿戴設(shè)備中，WLCSP封裝能夠滿足其對(duì)小尺寸、高性能的要求。

（六）系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）

• 特點(diǎn)：

• SIP封裝可以將多個(gè)功率半導(dǎo)體器件和其他元器件集成在一個(gè)封裝內(nèi)，提高系統(tǒng)集成度。它可以將不同功能的芯片（如功率芯片、控制芯片、傳感器芯片等）以及無(wú)源元件（如電阻、電容等）集成在一起，形成一個(gè)完整的系統(tǒng)。例如，在一些智能手機(jī)的電源管理模塊中，SIP封裝可以將功率MOSFET、控制器芯片、電感、電容等集成在一個(gè)封裝內(nèi)，減小了模塊的體積和重量。

• SIP封裝可以優(yōu)化系統(tǒng)性能，通過(guò)優(yōu)化各個(gè)元器件之間的布局和連接，可以減少信號(hào)傳輸延遲、降低電磁干擾等。但是，SIP封裝的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)需要考慮多個(gè)元器件之間的兼容性和熱設(shè)計(jì)等因素，其設(shè)計(jì)和制造的復(fù)雜度較高。

• 應(yīng)用場(chǎng)景：SIP封裝適用于對(duì)系統(tǒng)集成度、性能和體積要求較高的應(yīng)用，如智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等便攜式電子設(shè)備中的電源管理、傳感器集成等模塊，以及一些小型化的工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等。

五、半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)的應(yīng)用案例

半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)在眾多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，以下是一些典型的應(yīng)用案例。

（一）電動(dòng)汽車領(lǐng)域

• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，功率器件封裝技術(shù)起著關(guān)鍵作用。例如，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的逆變器中。IGBT模塊采用特殊的封裝結(jié)構(gòu)，如采用DBC（直接鍵合銅）基板，這種基板具有良好的導(dǎo)熱性和電氣絕緣性，可以有效地將IGBT芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去，同時(shí)保證芯片之間的電氣隔離。在封裝過(guò)程中，通過(guò)優(yōu)化芯片連接技術(shù)（如采用鍵合線連接或倒裝芯片連接）和散熱結(jié)構(gòu)（如在模塊上安裝散熱鰭片或采用液冷系統(tǒng)），可以提高IGBT模塊的功率密度和可靠性

功率器件芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。