一、芯片金屬鍵合技術(shù)原理

芯片金屬鍵合技術(shù)是將芯片與其他部件（如基板等）通過(guò)金屬間的相互作用連接在一起的技術(shù)。

（一）鍵合的基本過(guò)程 在傳統(tǒng)的芯片鍵合過(guò)程中，首先要對(duì)鍵合的表面進(jìn)行處理，這包括清潔等操作以確保表面沒(méi)有雜質(zhì)等干擾因素。例如在半導(dǎo)體制造的芯片鍵合工藝中，若表面有污垢或氧化物等，會(huì)影響后續(xù)鍵合效果。對(duì)于金屬鍵合而言，通常會(huì)采用蒸發(fā)、濺射等鍍膜工藝在芯片或基板的鍵合表面形成金屬薄膜層，常見(jiàn)的金屬有金、銀、鋁等。然后將芯片與對(duì)應(yīng)的部件進(jìn)行貼合，在一定的條件下使金屬原子間形成鍵合。比如在某些工藝中，當(dāng)采用金 - 金鍵合時(shí)，在合適的溫度、壓力和氣氛環(huán)境下，金原子之間會(huì)發(fā)生擴(kuò)散等相互作用從而實(shí)現(xiàn)鍵合。

（二）不同金屬鍵合方式的原理

• 熱壓鍵合：這種方式是在一定的溫度和壓力下促使金屬原子相互擴(kuò)散和緊密接觸實(shí)現(xiàn)鍵合。以金 - 鋁熱壓鍵合為例，加熱到適當(dāng)溫度時(shí)，金和鋁原子的活性增加，在壓力的作用下，兩種金屬原子相互擴(kuò)散，在界面處形成合金層，從而實(shí)現(xiàn)芯片與基板或者其他部件的連接。一般來(lái)說(shuō)，溫度可能在幾百攝氏度，壓力根據(jù)具體的設(shè)備和工藝要求會(huì)有所不同，例如在一些小型芯片的鍵合中壓力可能在幾十兆帕到幾百兆帕之間。

• 超聲鍵合：利用超聲振動(dòng)能量使金屬表面的氧化膜破裂并促使金屬原子間的鍵合。當(dāng)超聲振動(dòng)施加到鍵合工具（如鍵合絲與芯片的鍵合點(diǎn)）時(shí)，振動(dòng)能量使金屬表面的氧化層破碎并被去除，使得純凈的金屬表面相互接觸，然后在壓力的作用下，金屬原子之間形成鍵合。例如在鋁絲鍵合中，超聲振動(dòng)頻率可能在幾十千赫茲到幾百千赫茲之間，通過(guò)超聲換能器將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能，使鋁絲與芯片的鋁焊盤(pán)之間實(shí)現(xiàn)良好的鍵合。

（三）與其他鍵合技術(shù)的比較原理差異 與聚合物鍵合（如環(huán)氧樹(shù)脂鍵合）相比，金屬鍵合具有更好的導(dǎo)電性。環(huán)氧樹(shù)脂鍵合主要依靠高分子聚合物的黏附作用，它是一種物理黏附過(guò)程，而金屬鍵合是基于金屬原子間的化學(xué)鍵合（如金屬鍵等），能夠提供更可靠的電連接。例如在一些高頻電路芯片的封裝中，需要良好的導(dǎo)電性，金屬鍵合就更具優(yōu)勢(shì)。與倒裝芯片鍵合技術(shù)相比，雖然倒裝芯片鍵合也涉及到金屬連接（如通過(guò)焊球凸塊連接），但芯片金屬鍵合技術(shù)不一定是倒裝結(jié)構(gòu)，它可以應(yīng)用于各種芯片與不同部件的連接場(chǎng)景，并且鍵合方式可以更加多樣化，如除了類(lèi)似倒裝芯片的焊球連接方式，還有平面金屬直接鍵合等方式。

二、芯片金屬鍵合技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域

芯片金屬鍵合技術(shù)在眾多領(lǐng)域都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

（一）半導(dǎo)體芯片制造與封裝 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，這是一項(xiàng)基礎(chǔ)性的技術(shù)。從芯片制造角度看，將晶圓上切割下來(lái)的芯片鍵合到引線(xiàn)框架或者印刷電路板（PCB）上是封裝過(guò)程中的重要步驟。例如在傳統(tǒng)的雙列直插式封裝（DIP）、小外形封裝（SOP）等封裝形式中，芯片金屬鍵合技術(shù)用于將芯片固定在相應(yīng)的封裝基板上，實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的初步連接。在更先進(jìn)的封裝技術(shù)如系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）和3D封裝中，金屬鍵合技術(shù)更是不可或缺。在SiP中，可能會(huì)將多個(gè)不同功能的芯片（如處理器芯片、存儲(chǔ)芯片等）通過(guò)金屬鍵合技術(shù)集成在一個(gè)封裝內(nèi)，實(shí)現(xiàn)小型化和多功能化。在3D封裝中，金屬鍵合可實(shí)現(xiàn)芯片在垂直方向上的堆疊連接，大大提高了封裝密度，像英特爾等公司在其先進(jìn)的3D封裝產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用了金屬鍵合技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片間的高速互聯(lián)和緊密集成。 （二）光電器件領(lǐng)域 對(duì)于光電器件，如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管等，芯片金屬鍵合技術(shù)有助于提高器件的性能和可靠性。在LED制造中，芯片與散熱基板之間的金屬鍵合可以有效地將芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去，因?yàn)榻饘倬哂辛己玫臒釋?dǎo)率。例如采用銀漿等金屬材料進(jìn)行鍵合，既可以實(shí)現(xiàn)電氣連接又能保證熱量的快速散發(fā)，從而提高LED的發(fā)光效率和使用壽命。在垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）器件的制作中，金屬鍵合技術(shù)可用于制備特殊的器件結(jié)構(gòu)，例如通過(guò)金屬鍵合實(shí)現(xiàn)襯底倒扣等工藝，能夠在不影響器件原有光學(xué)性質(zhì)的基礎(chǔ)上改善其熱學(xué)性能，提高器件的穩(wěn)定性和工作效率。 （三）微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS） MEMS器件通常是微小的機(jī)械和電子系統(tǒng)的集成。芯片金屬鍵合技術(shù)在MEMS中的應(yīng)用可以實(shí)現(xiàn)不同功能部件之間的連接和集成。例如在加速度計(jì)、陀螺儀等MEMS傳感器中，將微機(jī)械結(jié)構(gòu)（如懸臂梁、質(zhì)量塊等）與傳感器的電路芯片通過(guò)金屬鍵合連接起來(lái)。一方面可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸，另一方面可以保證整個(gè)器件的機(jī)械穩(wěn)定性。在微流體芯片中，金屬鍵合技術(shù)可用于連接不同的微通道層或者將微流體芯片與驅(qū)動(dòng)電路芯片連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)對(duì)微流體的精確控制和檢測(cè)等功能。

三、芯片金屬鍵合技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和不足

（一）優(yōu)勢(shì)

• 良好的導(dǎo)電性 金屬本身是優(yōu)良的導(dǎo)電體，通過(guò)金屬鍵合技術(shù)形成的連接能夠?yàn)樾酒峁┓€(wěn)定可靠的電通路。在現(xiàn)代高速、高頻的芯片電路中，例如在5G通信芯片或者高速處理器芯片的封裝中，低電阻的金屬鍵合可以確保信號(hào)的快速傳輸，減少信號(hào)延遲和衰減。以金 - 金鍵合為例，其具有極低的接觸電阻，能夠滿(mǎn)足高頻率信號(hào)傳輸?shù)囊?，保證芯片內(nèi)部電路與外部電路之間的高效通信。

• 較高的熱導(dǎo)率 金屬的熱導(dǎo)率較高，這使得芯片在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量能夠通過(guò)金屬鍵合界面有效地傳導(dǎo)出去。在功率芯片（如大功率的射頻放大器芯片、電力電子芯片等）中，良好的散熱是保證芯片正常工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵因素。例如鋁 - 銅鍵合，鋁和銅都具有較高的熱導(dǎo)率，能夠?qū)⑿酒臒崃靠焖賯鬟f到散熱片或者封裝基板上，防止芯片因過(guò)熱而性能下降甚至損壞。

• 鍵合強(qiáng)度較高 與一些聚合物鍵合相比，金屬鍵合形成的連接具有較高的機(jī)械強(qiáng)度。在芯片受到外界應(yīng)力（如在運(yùn)輸過(guò)程中的振動(dòng)、沖擊，或者在使用環(huán)境中的溫度變化引起的熱應(yīng)力等）時(shí)，金屬鍵合能夠保證芯片與基板或者其他部件之間的連接穩(wěn)定性。例如在航空航天等對(duì)可靠性要求極高的領(lǐng)域使用的芯片，金屬鍵合技術(shù)可以確保芯片在惡劣的機(jī)械和溫度環(huán)境下依然能夠正常工作。

（二）不足

• 成本較高 金屬鍵合技術(shù)往往需要較為精密的設(shè)備和高純度的金屬材料。例如在采用金作為鍵合金屬時(shí)，金的價(jià)格昂貴，并且在鍵合過(guò)程中，如采用濺射鍍膜等工藝制備金薄膜層，設(shè)備成本和運(yùn)行成本都較高。此外，一些金屬鍵合工藝（如熱壓鍵合）對(duì)工藝參數(shù)的控制要求嚴(yán)格，需要高精度的溫度和壓力控制系統(tǒng)，這也增加了成本。

• 可能存在金屬間化合物的影響 在某些金屬鍵合過(guò)程中，如金 - 鋁鍵合，隨著時(shí)間的推移和在一定的溫度、濕度等環(huán)境條件下，可能會(huì)形成金屬間化合物。這些金屬間化合物的電學(xué)和機(jī)械性能可能與原始的金屬不同，會(huì)影響鍵合的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。例如，金 - 鋁鍵合形成的金屬間化合物可能會(huì)導(dǎo)致接觸電阻增大，從而影響芯片的電學(xué)性能。

• 工藝復(fù)雜性 不同的金屬鍵合方式需要不同的工藝條件，如熱壓鍵合需要精確控制溫度、壓力和時(shí)間，超聲鍵合需要合適的超聲頻率和功率等。這些工藝參數(shù)的優(yōu)化和控制較為復(fù)雜，并且在大規(guī)模生產(chǎn)中要保證每個(gè)芯片的鍵合質(zhì)量都達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)是具有挑戰(zhàn)性的。例如在大規(guī)模生產(chǎn)手機(jī)芯片時(shí)，要確保每一個(gè)芯片的金屬鍵合都符合要求，需要嚴(yán)格的工藝監(jiān)控和質(zhì)量控制體系。

四、芯片金屬鍵合技術(shù)的發(fā)展歷程

（一）早期發(fā)展階段 芯片金屬鍵合技術(shù)的起源可以追溯到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的早期。在早期的晶體管和小規(guī)模集成電路時(shí)代，金屬鍵合技術(shù)就開(kāi)始被應(yīng)用于將芯片連接到封裝基板上。當(dāng)時(shí)的鍵合技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單，主要采用一些傳統(tǒng)的金屬連接方法，如采用簡(jiǎn)單的焊接技術(shù)將芯片的引腳與基板上的線(xiàn)路連接起來(lái)。例如，早期的二極管和三極管芯片，通過(guò)手工焊接或者簡(jiǎn)單的機(jī)器焊接將芯片的金屬引腳與印刷電路板連接，這可以看作是芯片金屬鍵合技術(shù)的雛形。這個(gè)階段的金屬鍵合主要以滿(mǎn)足基本的電氣連接和芯片固定為目的，鍵合的精度和可靠性相對(duì)較低。 （二）技術(shù)改進(jìn)與多樣化發(fā)展階段 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，芯片的集成度不斷提高，對(duì)金屬鍵合技術(shù)的要求也越來(lái)越高。在這個(gè)階段，出現(xiàn)了更多種類(lèi)的金屬鍵合方式。例如熱壓鍵合技術(shù)得到了發(fā)展，通過(guò)精確控制溫度和壓力，可以實(shí)現(xiàn)更加精細(xì)的芯片與基板之間的連接。同時(shí)，超聲鍵合技術(shù)也開(kāi)始被應(yīng)用，它解決了一些金屬表面氧化膜影響鍵合質(zhì)量的問(wèn)題。在20世紀(jì)中葉到后期，隨著大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)，金屬鍵合技術(shù)開(kāi)始朝著提高鍵合密度、降低接觸電阻等方向發(fā)展。例如在一些內(nèi)存芯片的封裝中，采用了新的金屬鍵合工藝，提高了芯片與封裝基板之間的連接效率，同時(shí)減少了信號(hào)傳輸?shù)难舆t。 （三）現(xiàn)代先進(jìn)封裝中的發(fā)展階段 進(jìn)入現(xiàn)代，隨著芯片制造技術(shù)向納米級(jí)邁進(jìn)以及先進(jìn)封裝技術(shù)（如3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝等）的興起，芯片金屬鍵合技術(shù)面臨著新的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。一方面，鍵合的精度要求達(dá)到了納米級(jí)別，例如在3D封裝中芯片之間的垂直金屬連接，需要極高的對(duì)準(zhǔn)精度。像一些先進(jìn)的鍵合設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)亞微米甚至納米級(jí)別的對(duì)準(zhǔn)精度。另一方面，為了滿(mǎn)足高性能芯片的需求，金屬鍵合技術(shù)在提高導(dǎo)電性、散熱性的同時(shí)，還要兼顧與其他封裝工藝的兼容性。例如在系統(tǒng)級(jí)封裝中，金屬鍵合技術(shù)需要與芯片堆疊、布線(xiàn)等工藝相互配合，實(shí)現(xiàn)多功能芯片的一體化封裝。同時(shí)，新的金屬材料和鍵合工藝也不斷涌現(xiàn)，如混合鍵合技術(shù)，它結(jié)合了不同的鍵合機(jī)制（如金屬 - 金屬鍵合和介電 - 介電鍵合），進(jìn)一步提高了封裝的性能和集成度。

五、芯片金屬鍵合技術(shù)的未來(lái)趨勢(shì)

（一）更高的鍵合精度 隨著芯片制造工藝不斷向更小的尺寸發(fā)展，如進(jìn)入到3納米甚至更小的制程，芯片金屬鍵合技術(shù)需要更高的鍵合精度。未來(lái)，鍵合設(shè)備的對(duì)準(zhǔn)精度有望進(jìn)一步提高到納米甚至亞納米級(jí)別。例如在超精細(xì)的芯片堆疊封裝中，每層芯片之間的金屬連接需要精確到納米尺度，以確保信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和芯片的整體性能。這將需要研發(fā)更加先進(jìn)的鍵合設(shè)備和工藝控制技術(shù)，如高精度的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、精確的壓力和溫度控制技術(shù)等。 （二）新材料和新工藝的應(yīng)用

• 新材料方面：將會(huì)探索更多具有優(yōu)良性能的金屬材料用于鍵合。除了傳統(tǒng)的金、銀、鋁等金屬，可能會(huì)有一些合金或者新型金屬材料被引入。例如，一些具有高導(dǎo)電性和高熱導(dǎo)率的金屬合金，它們可能在成本和性能之間取得更好的平衡。此外，還可能會(huì)研究金屬與其他材料（如碳納米管、石墨烯等具有特殊電學(xué)和熱學(xué)性能的材料）的復(fù)合鍵合，以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的綜合性能。

• 新工藝方面：混合鍵合工藝將不斷發(fā)展和完善?；旌湘I合能夠結(jié)合不同鍵合方式的優(yōu)勢(shì)，未來(lái)有望在更多類(lèi)型的芯片封裝中得到廣泛應(yīng)用。例如，將金屬鍵合與介電鍵合更好地結(jié)合，在提高電學(xué)性能的同時(shí)，改善封裝的機(jī)械穩(wěn)定性和可靠性。此外，低溫鍵合工藝也將是一個(gè)研究熱點(diǎn)，因?yàn)榈蜏劓I合可以減少對(duì)芯片和其他材料的熱損傷，對(duì)于一些溫度敏感的芯片（如某些高性能的光電器件芯片）非常重要。 （三）與其他封裝技術(shù)的深度融合 芯片金屬鍵合技術(shù)將與其他封裝技術(shù)（如引線(xiàn)鍵合、倒裝芯片封裝等）更加深度地融合。在未來(lái)的封裝方案中，可能會(huì)綜合運(yùn)用多種封裝技術(shù)，根據(jù)芯片的不同功能需求和性能要求，靈活搭配。例如在一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)封裝中，對(duì)于一些需要高速信號(hào)傳輸?shù)男酒K采用金屬鍵合技術(shù)進(jìn)行直接連接，而對(duì)于一些對(duì)成本較為敏感的部分采用引線(xiàn)鍵合技術(shù)。同時(shí)，金屬鍵合技術(shù)也將與封裝設(shè)計(jì)的優(yōu)化相結(jié)合，從整體上提高芯片封裝的性能、降低成本并提高生產(chǎn)效率。例如通過(guò)優(yōu)化芯片布局和鍵合順序，實(shí)現(xiàn)更高效的封裝流程和更好的性能表現(xiàn)。

芯片封裝清洗介紹

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠(chǎng)商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。