國(guó)產(chǎn)車規(guī)芯片（半導(dǎo)體）產(chǎn)品表現(xiàn)及國(guó)產(chǎn)化情況

國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片：國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)不佳。無(wú)論是數(shù)據(jù)丟失、,丟包還是亂碼錯(cuò)碼的問(wèn)題,國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商普遍存在這些問(wèn)題,導(dǎo)致其替換使用率或國(guó)產(chǎn)化率非常低,僅在5%到8%左右。相比之下,國(guó)際供應(yīng)商如美光、三星和海力士在這方面表現(xiàn)更為可靠。國(guó)內(nèi)的供應(yīng)商如長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、北京君正、紫光國(guó)微和江波龍等,雖然在努力,但市場(chǎng)反饋仍然不理想,尤其在中高端車市場(chǎng),基本不存在替換的可能性。

國(guó)產(chǎn)傳感器：國(guó)產(chǎn)傳感器在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用情況較為復(fù)雜。某些類型的傳感感器,如溫度傳感器,國(guó)產(chǎn)化率非常高,可以達(dá)到60%到70%,并且在中高端車市場(chǎng)也能實(shí)現(xiàn)大部分替換。然而,壓力傳感器、加速度傳感器和位置傳感器的國(guó)產(chǎn)化率較低,特別是在智能駕駛領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)化更是不高。在低端市場(chǎng),國(guó)產(chǎn)傳感器的替換率約為50%,但在中高端以上市場(chǎng),替換率則顯著降低。

激光雷達(dá)傳感器芯片：激光雷達(dá)傳感器芯片的國(guó)產(chǎn)化率較低,目前以進(jìn)口為主。國(guó)際供應(yīng)商如霍尼韋爾、英飛凌、英偉達(dá)、意法半導(dǎo)體等在技術(shù)和質(zhì)量上有巨大優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)在這一領(lǐng)域我的供應(yīng)商較少,且技術(shù)實(shí)力一般

攝像頭CIS芯片：在攝像頭CIS芯片領(lǐng)域,韋爾股份表現(xiàn)突出。雖然韋爾股份通過(guò)收購(gòu)美國(guó)OmniVision而獲得技術(shù)實(shí)力,但目前在全球CMOS芯片領(lǐng)域中僅次于索尼。其他國(guó)內(nèi)供應(yīng)商如士蘭微、科威、明微電子等,與韋爾股份和國(guó)際巨頭相比仍有較大差距。

模擬與混合信號(hào)芯片：國(guó)產(chǎn)化率約為15%。國(guó)內(nèi)供應(yīng)商如上海貝嶺、納思達(dá)、思瑞浦、二維電子、士蘭微、圣邦微等在該領(lǐng)域雖有一定實(shí)力,但與國(guó)際供應(yīng)商如亞德諾、德州儀器、美信言相比仍有較大差距。

ASIC芯片和GPU算力芯片領(lǐng)域：ASIC芯片的國(guó)產(chǎn)化率極低,不足5%。國(guó)際供應(yīng)商如賽靈思、英特爾、高通等技術(shù)先進(jìn),國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商如地平線等尚處于起步階段。在GPU算力芯片方面,國(guó)產(chǎn)芯片只能用于低端領(lǐng)域,主要用于圖形處理和機(jī)器學(xué)習(xí)。國(guó)際供應(yīng)商如英偉達(dá)、AMD、英特爾等在性能和可靠性上有明顯優(yōu)勢(shì)。

信息娛樂(lè)系統(tǒng)芯片領(lǐng)域：信息娛樂(lè)系統(tǒng)芯片的國(guó)產(chǎn)化率較低,約15%-20%。國(guó)際供應(yīng)商如高通、英飛凌、瑞薩、英偉達(dá)等表現(xiàn)出色。國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商如地平線、芯原微、紫光國(guó)微在中高端市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力不足,主要集中在低端市場(chǎng)。

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)表現(xiàn)：國(guó)產(chǎn)化率在2023年約為30%到35%。IGBT在主驅(qū)領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化率約為20%,而在非主驅(qū)領(lǐng)域如OBC、DC-DC、PDU、BMS等,MOSFET的占有率高達(dá)35%。碳化硅功率半導(dǎo)體在非主驅(qū)領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化率接近30%,但在主驅(qū)領(lǐng)域僅約12%。國(guó)內(nèi)供應(yīng)商如斯達(dá)半導(dǎo)、比亞迪、中微時(shí)代等在中低端市場(chǎng)表現(xiàn)不錯(cuò),但在中高端市場(chǎng)仍落后于國(guó)際公司如英飛凌、安森美和意法半導(dǎo)體。

車載傳感器：車載傳感器的國(guó)產(chǎn)化率在某些領(lǐng)域較高。例如,溫度和光照傳感器的國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)30%,而位置、壓力和加速度傳感器的國(guó)產(chǎn)化率約為10%。國(guó)內(nèi)供應(yīng)商如賽卓電子、歌爾股份和明微電子在低端市場(chǎng)有一定份額,但在中高端市場(chǎng)仍以進(jìn)口為主,主要供應(yīng)商包括霍尼韋爾、博世和恩智浦等。

MCU:MCU的國(guó)產(chǎn)化率約為8%。MCU是汽車電子系統(tǒng)中的核心部件,控制著動(dòng)力總成、安全系統(tǒng)、車身電子、信息娛樂(lè)和底盤(pán)等子系統(tǒng)。盡管MCU的復(fù)雜度不高,但由于功能安全要求高,國(guó)產(chǎn)化率非常低。目前主要供應(yīng)商是英飛凌、恩智浦、微芯、瑞薩等國(guó)國(guó)際公司。國(guó)內(nèi)供應(yīng)商如兆易創(chuàng)新、國(guó)民技術(shù)等主要應(yīng)用于低端車。

模擬芯片：模擬芯片的國(guó)產(chǎn)化率約為10%到12%。國(guó)內(nèi)公司如圣邦微、大唐、興森微等在中低端市場(chǎng)有一定話語(yǔ)權(quán),但在中高端市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力不足。國(guó)際供應(yīng)商如德州儀器、英飛凌和恩智浦在技術(shù)和市場(chǎng)表現(xiàn)上占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

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