IGBT的定義:

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是具有高電流、高電壓、高效率的半導(dǎo)體電源控制元件，也是一種電力電子元件的綜合體，是MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極晶體管）的結(jié)合體，它具有MOSFET的優(yōu)良特性，如可控性高、漏電流小、驅(qū)動(dòng)電流小、開(kāi)關(guān)速度快等，又具有BJT的優(yōu)良特性，如具有較高的電流密度、較高的正向電壓限制等，它能夠?qū)崿F(xiàn)大電流大電壓的開(kāi)關(guān)控制，被廣泛應(yīng)用于電力控制系統(tǒng)中。

IGBT在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用：

在新能源汽車(chē)中IGBT是應(yīng)用極為廣泛的一種公里半導(dǎo)體元件，電動(dòng)車(chē)之所以具備碾壓燃油車(chē)的加速體驗(yàn)，和這枚“心臟”的作用不無(wú)關(guān)系。

新能源汽車(chē)是通過(guò)電池驅(qū)動(dòng)電機(jī)來(lái)給汽車(chē)提供動(dòng)力輸出的，所以存在交流市電給汽車(chē)電池充電和電池放電來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)使汽車(chē)行駛的場(chǎng)景。這兩個(gè)過(guò)程都是需要通過(guò)使用IGBT設(shè)計(jì)的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。

IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車(chē)成本的15-20%，也就是說(shuō)IGBT占整車(chē)成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車(chē)的能源效率。

目前，中芯集成已成為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大車(chē)規(guī)級(jí)IGBT制造基地。依托于國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、全球技術(shù)領(lǐng)先的MEMS晶圓代工廠(chǎng)，年底前，中芯集成車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片產(chǎn)能將超過(guò)12萬(wàn)片每月。

斯達(dá)半導(dǎo)：

斯達(dá)半導(dǎo)優(yōu)勢(shì)在于IGBT模塊，主要覆蓋新能源汽車(chē)和工控領(lǐng)域。

2013年斯達(dá)半導(dǎo)開(kāi)始專(zhuān)注新能源汽車(chē)IGBT模塊的研發(fā)，目前其IGBT電壓等級(jí)涵蓋范圍為100V～3300V，率先實(shí)現(xiàn)第7代IGBT產(chǎn)品的研發(fā)。另外，斯達(dá)半導(dǎo)的SiC模塊研發(fā)進(jìn)程也早于國(guó)內(nèi)其他廠(chǎng)商。

斯達(dá)半導(dǎo)產(chǎn)品種類(lèi)豐富，能有效全面地覆蓋下游客戶(hù)的各類(lèi)需求，其IGBT模塊產(chǎn)品超過(guò)600種，其第六代TrenchFieldStop技術(shù)的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊已獲得多個(gè)平臺(tái)/項(xiàng)目定點(diǎn)，SiC模塊也已獲得多款車(chē)型定點(diǎn)，先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯。

目前斯達(dá)半導(dǎo)采用Fabless模式，代工廠(chǎng)為上海華虹、上海先進(jìn)等。同時(shí)也在自建晶圓廠(chǎng)，由Fabless走向IDM。

士蘭微：

士蘭微的產(chǎn)品以IGBT單管和IPM模塊為主，在白電和工控領(lǐng)域具備顯著市場(chǎng)地位。此外其車(chē)規(guī)IGBT產(chǎn)品通過(guò)部分汽車(chē)廠(chǎng)商測(cè)試，開(kāi)始小批量供貨；光伏IGBT單管已在國(guó)內(nèi)部分光伏客戶(hù)逐步上量。根據(jù) Omdia數(shù)據(jù)顯示，2021年士蘭微 IPM 產(chǎn)品全球市占率達(dá)到 2.2%，排名全球第八，國(guó)內(nèi)第一。士蘭微已經(jīng)推出了英飛凌的第7代產(chǎn)品，目前還處在送審階段，離量產(chǎn)還有距離。2021年士蘭微的車(chē)規(guī)級(jí)SiC模塊研發(fā)成功。

除了以上提到的公司，還有諸如華微電子、揚(yáng)杰科技、比亞迪半導(dǎo)體、宏微科技、中科君芯、新潔能等廠(chǎng)商在IGBT各個(gè)領(lǐng)域逐步放量。

IGBT功率器件清洗

為應(yīng)對(duì)能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問(wèn)題，世界各國(guó)均在大力發(fā)展新能源汽車(chē)、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對(duì)這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。

目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對(duì)環(huán)保的管控和對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿(mǎn)足IGBT清洗。對(duì)此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專(zhuān)利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。

以上便是IGBT功率器件清洗劑廠(chǎng),IGBT功率器件的DCB襯底功能介紹，希望可以幫到您！