芯片制造流程之芯片封裝工藝

芯片封裝工藝，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，目前越來越多的新型封裝技術(shù)展現(xiàn)，比如立體封裝、覆晶式封裝（Flip-Chip BGA）、堆疊式封裝（Stack Multi-chip package）、芯片級(jí)堆疊式封裝（TSV package）、DOB（Die on Board）等，它們的工藝與上述不盡相同，但是原理上沒有差別。

今天小編給大家分享一篇關(guān)于芯片封裝制造工藝的幾個(gè)步驟，希望能對(duì)您有所幫助！

傳統(tǒng)的芯片封裝制造工藝分為以下幾個(gè)步驟：

一、減?。˙ack Grind）

不同的芯片使用時(shí)需要具有不同的厚度，因此需要對(duì)芯片進(jìn)行減薄。一般是應(yīng)用研磨的方法。研磨的第一步為粗磨。第二步為細(xì)磨，目的是消減芯片粗磨中生成的應(yīng)力破壞層，這一層一般厚度為1-2微米。

二、貼膜（Wafer Mount）

減薄之后，需要在芯片背面貼上配合劃片使用的藍(lán)膜，才可以開始劃片。

三、劃片（Wafer Saw）

將芯片在藍(lán)膜上切割成顆粒狀，以便于單個(gè)取出分開。一般切割刀片可以達(dá)到最小的切割寬度為40微米左右。

四、貼片（Die Attach）

將芯片顆粒由劃片后的藍(lán)膜上分別取下，用特殊的膠水（一般為導(dǎo)電銀膠）與引線框架（leadframe，支架）貼合在一起，以便于下一個(gè)打線鍵合的工藝。

五、銀膠烘焙（Epoxy Curing）

貼片工藝后需要使用高溫將銀膠烤干固化，溫度為175℃，時(shí)間為1小時(shí)。

六、打線鍵合（Wire Bond）

用金屬引線將芯片顆粒的金屬焊接墊與支架焊接聯(lián)通在一起。

七、塑封成型（Mold）

將引線鍵合完成的支架放入塑封模中，用塑封料（高分子，一般為環(huán)氧樹脂等）把芯片、金屬引線及支架包裹保護(hù)起來，同時(shí)達(dá)到塑封料外觀成型的目標(biāo)。

八、塑封后烘焙（Post Mold Curing）

塑封料的轉(zhuǎn)換固化在模具中完成80%，然后到塑封后烘焙工藝中完成剩余的20%固化工作。此時(shí)在芯片塑封成品上要加上金屬重槌，目的是消除塑封成品的蹺曲現(xiàn)象。

九、除渣及電鍍（Deflash and Plating）

將塑封成型后的殘?jiān)コ螅瑢⒁€支架電鍍上一層錫（一般為含錫的合金），將來可使用表面貼芯片技術(shù)制作電路系統(tǒng)。

十、電鍍后烘焙（Post Plating Baking）

這一步的目的是減少及延緩錫枝晶的產(chǎn)生，因?yàn)殄a枝晶會(huì)造成芯片封裝后成品的引腳短路。

十一、切筋整腳成型（Trim/Form）

塑封完成后，要對(duì)整個(gè)支架做切筋及整腳成型的動(dòng)作，使單個(gè)IC從整條支架上一個(gè)一個(gè)完整的分離出來。

以上是關(guān)于芯片制造之芯片封裝工藝的相關(guān)內(nèi)容了，希望能對(duì)您有所幫助！

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