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芯片封裝技術(shù)的步驟、優(yōu)點(diǎn)與倒裝芯片工藝清洗介紹

發(fā)布日期:2023-05-24 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):4742

要把芯片固定在電路板或其他基板上,實(shí)現(xiàn)芯片性能的正常輸出,最常見的可以采用的方法有三種:

第一種是通過引線連接,采用導(dǎo)電性好的金絲將芯片管腳與電路相連接,稱為wire bonding。

第二種是管腳貼合技術(shù),將金絲轉(zhuǎn)換成銅箔,銅箔與芯片管腳的凸點(diǎn)貼合,稱為TAB。

第三種是倒裝技術(shù),是將芯片上導(dǎo)電的凸點(diǎn)與電路板上的凸點(diǎn)通過一定工藝連接起來,稱為Flip chip。

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由于半導(dǎo)體越來越集成化,體積越來越小,性能越來越高,于是倒焊技術(shù)越來越廣泛的得到了應(yīng)用。

倒裝芯片工藝是指通過在芯片的I/0 焊盤上直接沉積,或者通過 RDL 布線后沉積凸塊(包括錫鉛球、無鉛錫球、銅桂凸點(diǎn)及金凸點(diǎn)等),然后將芯片翻轉(zhuǎn),進(jìn)行加熱,使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合,將芯片的 I/0 扇出成所需求的封裝過程。倒裝芯片封裝產(chǎn)品示意圖如圖所示。

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與傳統(tǒng)的引線鍵合工藝相比,倒裝芯片封裝工藝具有如下優(yōu)點(diǎn)。

(1)VO 密度高。

  (2) 由于采用了凸點(diǎn)結(jié)構(gòu),互連長度大大縮短,互連線電阻、電感更小,封裝的電性能得到極大的改善

(3) 芯片中產(chǎn)生的熱量可通過焊料凸點(diǎn)直接傳輸?shù)椒庋b襯底上,因此芯片溫度會降低。

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倒裝芯片對高密度微凸點(diǎn)技術(shù)、小節(jié)距倒裝芯片鍵合技術(shù)及底部填充技術(shù)等方面的封裝工藝及可靠性的要求也越來越高。每種工藝方法都有不同之處,且應(yīng)用范圍也有所不同。

如今,倒裝芯片技術(shù)已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子領(lǐng)域,未來在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、大數(shù)據(jù)等方面的應(yīng)用也會更廣泛,倒裝芯片封裝被認(rèn)為是推進(jìn)低成本高密度便攜式電子設(shè)備制造所必需的一項(xiàng)工藝。

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倒裝芯片主要通過四個步驟完成:

第一步:凸點(diǎn)底部金屬化 (UBM=under bump metallization)


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凸點(diǎn)金屬化是為了將半導(dǎo)體中P-N結(jié)的性能引出,其中熱壓倒裝芯片連接最合適的凸點(diǎn)材料是金,凸點(diǎn)可以通過傳統(tǒng)的電解鍍金方法生成,或者采用釘頭凸點(diǎn)方法,后者就是引線鍵合技術(shù)中常用的凸點(diǎn)形成工藝。

UBM的沉積方法主要有:

濺射:用濺射的方法一層一層地在硅片上沉積薄膜,然后通過照相平版技術(shù)形成UBM圖樣,然后刻蝕掉不是圖樣的部分。
蒸鍍:利用掩模,通過蒸鍍的方法在硅片上一層一層地沉積。這種選擇性的沉積用的掩??捎糜趯?yīng)的凸點(diǎn)的形成之中。
化學(xué)鍍:采用化學(xué)鍍的方法在Al焊盤上選擇性地鍍Ni。常常用鋅酸鹽工藝對Al表面進(jìn)行處理。無需真空及圖樣刻蝕設(shè)備,低成本。

第二步:芯片凸點(diǎn)

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這部分是形成凸點(diǎn),可以看做給P-N結(jié)做電極,類似于給電池加工一個輸出端。

常見的6種形成凸點(diǎn)形成辦法:

蒸鍍焊料凸點(diǎn),

電鍍焊料凸點(diǎn),

印刷焊料凸點(diǎn),

釘頭焊料凸點(diǎn)

放球凸點(diǎn)

焊料轉(zhuǎn)移凸點(diǎn)

以典型的電鍍焊料凸點(diǎn)來看,其加工示意圖如下:

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完成后的凸點(diǎn)在掃描電子顯微鏡下觀察,微觀形態(tài)是一個體型均勻的金屬球。

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第三步:將已經(jīng)凸點(diǎn)的晶片組裝到基板/板卡上

在熱壓連接工藝中,芯片的凸點(diǎn)是通過加熱、加壓的方法連接到基板的焊盤上。



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第四步:使用非導(dǎo)電材料填充芯片底部孔隙

填充時,將倒裝芯片與基板加熱到70至75℃,利用裝有填料的L形注射器,沿著芯片的邊緣雙向注射填料。

下面是填膠示意圖:

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填膠完成后的芯片和基板穩(wěn)定的結(jié)合在一起,完成后的示意圖:

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倒裝芯片結(jié)構(gòu)從上至下依次為藍(lán)寶石襯底、N型半導(dǎo)體層,發(fā)光層,P型半導(dǎo)體層和電極,與正裝結(jié)構(gòu)相比,該結(jié)構(gòu)中PN結(jié)處產(chǎn)生的熱量不經(jīng)過襯底即可直接傳導(dǎo)到熱沉,因而散熱性能良好,芯片發(fā)光效率和可靠性較高;倒裝結(jié)構(gòu)中,p電極和n電極均處于底面,避免了對出射光的遮擋,芯片出光效率較高;此外,倒裝芯片電極之間距離較遠(yuǎn),可減小電極金屬遷移導(dǎo)致的短路風(fēng)險。

倒裝芯片工藝清洗:

在倒裝芯片通過回流焊焊接在基板上后,需用填充料對裸片進(jìn)行填充,故任何的焊后殘留都會讓填充效果存在分層、空洞和條紋等界面缺陷。所以對芯片和基材之間狹小空間里的助焊劑殘留物是一項(xiàng)不可缺少的工序。合明科技研發(fā)的清洗劑具有高效的清洗能力和滲透能力,將殘留去除,有效防止分層和條紋缺陷;清洗后可為倒裝芯片的底部填充提供適當(dāng)?shù)臐櫇穸?,有效防止空洞產(chǎn)生。

以上內(nèi)容是對倒裝芯片封裝技術(shù)和優(yōu)缺點(diǎn)與倒裝貼片后清洗的介紹,合明科技為您提供專業(yè)倒裝芯片工藝水基清洗工藝解決方案。如需進(jìn)一步了解電子制程工藝中精密清洗相關(guān)解決方案,可以使用電話、微信、郵件與我們聯(lián)絡(luò)咨詢。


Tips:

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以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積,因工藝問題內(nèi)容廣泛,沒有面面俱到,只對常見問題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時俱進(jìn),熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。

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