IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)功率模塊兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)IGBT模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指 IGBT 模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn);IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在新能源電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

IGBT 門(mén)檻較高，長(zhǎng)期以來(lái)主要由英飛凌、富士電機(jī)等壟斷，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，英飛凌占據(jù)了絕對(duì)的領(lǐng)先地位，其模組產(chǎn)品市占率35.6%、分立器件產(chǎn)品市占率 32.5%。不過(guò)國(guó)內(nèi) IGBT 企業(yè)也在奮起直追，新參與者也不斷涌入。

IGBT 新參與者主要分為三類(lèi)：

一是老牌功率器件廠商逐漸向 IGBT 等高端業(yè)務(wù)擴(kuò)展業(yè)務(wù)。

二是終端廠商向供應(yīng)鏈上游拓展，如比亞迪于 2005 年進(jìn)入IGBT產(chǎn)業(yè)，目前其推出的 IGBT 4.0 產(chǎn)品在電流輸出、綜合損耗及溫度循環(huán)壽命等許多關(guān)鍵指標(biāo)上超越了英飛凌等主流企業(yè)的產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)了對(duì)外供應(yīng);

三是新創(chuàng)企業(yè)進(jìn)入IGBT 賽道，如芯聚能半導(dǎo)體于 2019 年 9 月開(kāi)啟 25 億元的投資項(xiàng)目，目標(biāo)面向新能源汽車(chē)用功率模塊。

國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商：

IDM廠商株洲中車(chē)時(shí)代電氣、深圳比亞迪、杭州士蘭微、吉林華微、中航微電子、中環(huán)股份等;

模組廠商西安永電、西安愛(ài)帕克、威海新佳、江蘇宏微、嘉興斯達(dá)、南京銀茂、深圳比亞迪等;

芯片設(shè)計(jì)廠商中科君芯、西安芯派、寧波達(dá)新、無(wú)錫同方微、無(wú)錫新潔能、山東科達(dá)等;

芯片制造廠商華虹宏力、上海先進(jìn)、深圳方正微、中芯國(guó)際、華潤(rùn)上華等。

注：名單排名不分先后，不完全統(tǒng)計(jì)。僅供參考！

1.比亞迪半導(dǎo)體 

成立時(shí)間：2003年

業(yè)務(wù)模式：IDM業(yè)務(wù)模式：IDM

簡(jiǎn)介：比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IDM企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體，半導(dǎo)體制造及服務(wù)，覆蓋了對(duì)光、電、磁等信號(hào)的感應(yīng)、處理及控制， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、能源、工業(yè)和消費(fèi)電子等領(lǐng)域，具有廣闊的市場(chǎng)前景。

比亞迪半導(dǎo)體2007 年建立 IGBT 模塊生產(chǎn)線，2009年完成首款車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片開(kāi)發(fā)，可提供包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式的產(chǎn)品。2018 年底發(fā)布其自研車(chē)規(guī)級(jí)IGBT 4.0 技術(shù)。

 2.中車(chē)時(shí)代電氣  

成立時(shí)間：2005年

業(yè)務(wù)模式：IDM

簡(jiǎn)介：株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司是中國(guó)中車(chē)旗下股份制企業(yè)，公司是我國(guó)唯一一家全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門(mén)極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術(shù)的廠家，國(guó)內(nèi)唯一自主掌握了高鐵動(dòng)力 IGBT 芯片及模塊技術(shù)的企業(yè)。

 3.士蘭微 

成立時(shí)間：1997年

業(yè)務(wù)模式：IDM

簡(jiǎn)介：杭州士蘭微電子股份有限公司是專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司成立于1997年9月，總部在中國(guó)杭州。

士蘭微電子建在杭州錢(qián)塘新區(qū)的集成電路芯片生產(chǎn)線目前實(shí)際月產(chǎn)出達(dá)到22萬(wàn)片，在小于和等于6英寸的芯片制造產(chǎn)能中排在全球第二位。公司8英寸生產(chǎn)線于2015年開(kāi)工建設(shè)，2017年投產(chǎn)，成為國(guó)內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的IDM產(chǎn)品公司，2020年實(shí)際月產(chǎn)能達(dá)到5～6萬(wàn)片。2018年，公司12英寸特色工藝晶圓生產(chǎn)線及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線在廈門(mén)開(kāi)工建設(shè)。2020年，士蘭化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，士蘭12英寸芯片生產(chǎn)線開(kāi)始試產(chǎn)。

公司目前的產(chǎn)品和研發(fā)投入主要集中在以下三個(gè)領(lǐng)域：

?基于士蘭芯片生產(chǎn)線高壓、高功率、特殊工藝的集成電路、功率模塊(IPM/PIM)、功率器件及（各類(lèi)MCU/專用IC組成的）功率半導(dǎo)體方案

?MEMS傳感器產(chǎn)品、數(shù)字音視頻和智能語(yǔ)音產(chǎn)品、通用ASIC電路

?光電產(chǎn)品及LED芯片制造和封裝（含內(nèi)外彩屏和LED照明）

4.華潤(rùn)微 

成立時(shí)間：1997年

業(yè)務(wù)模式：IDM

簡(jiǎn)介：公司產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器領(lǐng)域，為客戶提供系列化的半導(dǎo)體產(chǎn)品與服務(wù)。

 5.揚(yáng)杰科技 

成立時(shí)間：2006年

業(yè)務(wù)模式：IDM

簡(jiǎn)介：揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷(xiāo)售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)、MOSFET、功率模塊、碳化硅等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。

于2018年3月控股一條宜興 6 英寸生產(chǎn)線，目前已開(kāi)始量產(chǎn)用于電磁爐等小家電的 IGBT 芯片；2018 年公司 IGBT芯片實(shí)際產(chǎn)出近 6000 片。

 6.華微電子 

成立時(shí)間：1999年

業(yè)務(wù)模式：IDM

簡(jiǎn)介：公司擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年500萬(wàn)片，封裝資源為每年24億只，模塊每年1800萬(wàn)塊。

公司主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營(yíng)銷(xiāo)主線的系列產(chǎn)品，產(chǎn)品種類(lèi)基本覆蓋功率半導(dǎo)體器件全部范圍，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED照明等領(lǐng)域，并不斷在新能源汽車(chē)、光伏、變頻等戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域快速拓展。

2019年4月公司募投8英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目，重點(diǎn)用于工業(yè)傳動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域 IGBT芯片的生產(chǎn)。

 7.斯達(dá)半導(dǎo) 

成立時(shí)間：2005年

業(yè)務(wù)模式：模組

簡(jiǎn)介：嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售服務(wù)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，公司總部位于浙江嘉興，在上海和歐洲均設(shè)有子公司，并在國(guó)內(nèi)和歐洲設(shè)有研發(fā)中心，是目前國(guó)內(nèi)IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。

公司主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研發(fā)出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過(guò)600種，電壓等級(jí)涵蓋100V～3300V，電流等級(jí)涵蓋10A～3600A。產(chǎn)品已被成功應(yīng)用于新能源汽車(chē)、變頻器、逆變焊機(jī)、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。

根據(jù)2020年國(guó)際著名研究及咨詢機(jī)構(gòu)IHS最新研究報(bào)告，嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司在全球IGBT模塊市場(chǎng)排名第七，是唯一一家進(jìn)入全球前十的中國(guó)企業(yè)。

 8.南京銀茂微 

成立時(shí)間：2007年

業(yè)務(wù)模式：模組

簡(jiǎn)介：南京銀茂微電子專注于工業(yè)和其他應(yīng)用的功率IGBT和MOSFET模塊產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和制造。

通過(guò)采用現(xiàn)代化的設(shè)備來(lái)處理和表征高達(dá)3.3kV的電源模塊，建立了先進(jìn)的電源模塊制造能力。自2009年以來(lái)，已通過(guò)ISO9001和ISO14001認(rèn)證，并且大多數(shù)產(chǎn)品還通過(guò)了UL認(rèn)證。能夠執(zhí)行電源模塊鑒定測(cè)試，例如室內(nèi)電氣和環(huán)境壽命測(cè)試。于2016年獲得TS16949認(rèn)證。

 9.達(dá)新半導(dǎo)體 

成立時(shí)間：2013年

業(yè)務(wù)模式：模組

簡(jiǎn)介：寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司是由海歸博士創(chuàng)立的一家中外合資的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售，并提供相關(guān)的應(yīng)用解決方案。

公司總部位于浙江省余姚市，建有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的測(cè)試應(yīng)用評(píng)估中心，中心包括芯片評(píng)估、器件測(cè)試、應(yīng)用分析及可靠性等實(shí)驗(yàn)室。公司建有一條制造手段先進(jìn)IGBT模塊產(chǎn)線，在上海有芯片設(shè)計(jì)中心，負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)和制造管理。公司具備芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊制造及應(yīng)用的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈，在IGBT芯片開(kāi)發(fā)，模塊制造和產(chǎn)品應(yīng)用具有自己獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

公司在8寸及6寸晶圓制造平臺(tái)成功開(kāi)發(fā)600V-3300V IGBT芯片產(chǎn)品，芯片電流等級(jí)涵蓋10A～200A。采用自主IGBT芯片，推出了系列化的滿足工業(yè)應(yīng)用、消費(fèi)電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級(jí)涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于白色家電、逆變焊機(jī)、工業(yè)變頻、感應(yīng)加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車(chē)、太陽(yáng)能/風(fēng)力發(fā)電、SVG等領(lǐng)域。

10.江蘇宏微 

成立時(shí)間：2006年

業(yè)務(wù)模式：模組

簡(jiǎn)介：江蘇宏微科技股份有限公司是由一批長(zhǎng)期在國(guó)內(nèi)外從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)，具有多種專項(xiàng)技術(shù)的科技人員組建的國(guó)家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)。是國(guó)家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程基地，國(guó)家IGBT和FRED標(biāo)準(zhǔn)起草單位。

業(yè)務(wù)范圍包括：

1、設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標(biāo)準(zhǔn)模塊及用戶定制模塊(CSPM)；

2、高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設(shè)計(jì)、制造及系統(tǒng)的解決方案，如動(dòng)態(tài)節(jié)能照明電源、開(kāi)關(guān)電源、UPS、逆變及變頻裝置等。

11.廣東芯聚能 

成立時(shí)間：2018年

業(yè)務(wù)模式：模組

簡(jiǎn)介：廣東芯聚能是一家車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體元器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。

主營(yíng)業(yè)務(wù)包括：面向新能源電動(dòng)汽車(chē)（EV、HEV）主驅(qū)動(dòng)器的核心功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、器件與模塊產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售與服務(wù)支持。同時(shí)也提供工業(yè)、民用級(jí)功率半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于變頻家電、工業(yè)變頻器、光伏發(fā)電、智能電源裝備等領(lǐng)域。

12.中芯紹興  

成立時(shí)間：2018年

業(yè)務(wù)模式：制造

簡(jiǎn)介：紹興中芯集成電路制造股份有限公司(中芯紹興，SMEC)成立于2018年3月, 總部位于浙江紹興，是一家專注于功率, 傳感和傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，提供特色工藝集成電路芯片及模塊封裝的代工服務(wù)的制造商。

技術(shù)上，立足于場(chǎng)截止型（Field Stop）IGBT結(jié)構(gòu)，采用業(yè)界先進(jìn)的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝。600V~1200V等器件工藝均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

中芯紹興自成立以來(lái)，聚焦在人工智能、移動(dòng)通信、車(chē)載、工控等領(lǐng)域，通過(guò)構(gòu)建持續(xù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力，努力實(shí)現(xiàn)在微機(jī)電系統(tǒng)和功率器件制造工藝方面，達(dá)到國(guó)際一流水平的目標(biāo)。

13.華虹宏力 

成立時(shí)間：2003年

業(yè)務(wù)模式：制造

簡(jiǎn)介：自建設(shè)中國(guó)大陸第一條8英寸集成電路生產(chǎn)線起步，目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產(chǎn)線（華虹一、二及三廠），月產(chǎn)能約18萬(wàn)片。華虹宏力工藝技術(shù)覆蓋1微米至90納米各節(jié)點(diǎn)，其嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺(tái)在全球業(yè)界極具競(jìng)爭(zhēng)力，并擁有多年成功量產(chǎn)汽車(chē)電子芯片的經(jīng)驗(yàn)。

14.深圳方正微  

成立時(shí)間：2003年

業(yè)務(wù)模式：制造

簡(jiǎn)介：深圳方正微電子有限公司(簡(jiǎn)稱“方正微電子”)成立于2003年12月。是一家從事集成電路芯片制造的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

公司致力于電源管理芯片和新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)聚焦智能手機(jī)、平板電腦、變頻家電、LED照明以及新能源汽車(chē)等新興領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的市場(chǎng)需求，秉持晶圓代工經(jīng)營(yíng)模式，專注于為客戶提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)。

方正微電子是國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅器件制造的廠商，其開(kāi)發(fā)的13個(gè)系列的碳化硅產(chǎn)品已進(jìn)入商業(yè)化應(yīng)用，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。另外,公司成功開(kāi)發(fā)出使用6英寸硅基氮化鎵材料制備的HEMT和SBD器件，耐壓超過(guò)1200V，性能居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

15.上海先進(jìn) 

成立時(shí)間：1988年

業(yè)務(wù)模式：制造

簡(jiǎn)介：上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司（簡(jiǎn)稱“上海先進(jìn)”），于1988年由中荷合資成立為上海飛利浦半導(dǎo)體公司，1995年易名為上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司，2004年改制為上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司，2019年被上海積塔半導(dǎo)體有限公司吸收合并，改制為上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司。

上海先進(jìn)位于上海市徐匯區(qū)漕河涇新興技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，是一家大規(guī)模集成電路芯片制造公司。目前，公司有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線，專注于模擬電路、功率器件的制造，8英寸等值晶圓年產(chǎn)能66.4萬(wàn)片

16.華潤(rùn)上華 

業(yè)務(wù)模式：制造

簡(jiǎn)介：隸屬于華潤(rùn)微電子，華潤(rùn)上華擁有兩條六英寸代工線和一條八英寸代工線，其六英寸生產(chǎn)線是國(guó)內(nèi)首家開(kāi)放式晶圓代工廠。以產(chǎn)能計(jì)為目前國(guó)內(nèi)最大的六英寸代工企業(yè)，月產(chǎn)能逾21萬(wàn)片，工藝線寬在0.5微米以上；八英寸生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能已達(dá)6.5萬(wàn)片。

17.深圳芯能 

成立時(shí)間：2013年

業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)介：深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Xiner  芯能半導(dǎo)體)成立于2013年，致力于IGBT芯片、IGBT驅(qū)動(dòng)芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應(yīng)用和銷(xiāo)售。主要人員都有十多年的行業(yè)積累，在國(guó)內(nèi)率先成功量產(chǎn)基于FST工藝的IGBT產(chǎn)品。

目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產(chǎn)品，IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個(gè)領(lǐng)域都有完善的產(chǎn)品序列，產(chǎn)品性能?chē)?guó)內(nèi)領(lǐng)先。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器、變頻家電、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機(jī)等領(lǐng)域；針對(duì)中大功率產(chǎn)品，芯能也能提供系統(tǒng)化解決方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均得到終端客戶的一致認(rèn)可。

芯能是國(guó)內(nèi)唯一一家同時(shí)具備IGBT芯片、IGBT驅(qū)動(dòng)芯片以及大功率智能功率模塊設(shè)計(jì)能力的公司。

18.上海陸芯 

成立時(shí)間：2015年

業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)介：上海陸芯電子科技有限公司是一家專注于最新一代功率半導(dǎo)體器件的高科技公司。公司經(jīng)過(guò)不斷努力，成功通過(guò) ISO9001：2015質(zhì)量管理體系認(rèn)證，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和品牌。陸芯公司目前累計(jì)擁有17項(xiàng)自主創(chuàng)新專利。

陸芯科技具有強(qiáng)勁的工藝開(kāi)發(fā)技術(shù)和設(shè)計(jì)能力，是國(guó)內(nèi)新一代功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)航企業(yè)。陸芯科技功率半導(dǎo)體產(chǎn)品包括：最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A~400A系列IGBT、650V 10A~200A系列IGBT、1200V&1350V 15A~100A系列IGBT；500V~900V系列SJMOS、650V&1200V系列功率二極管；650V&1200V系列SiC二極管。

陸芯科技的產(chǎn)品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)：通過(guò)優(yōu)化耐壓終端環(huán)，實(shí)現(xiàn)IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達(dá)到工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)；通過(guò)控制少子壽命，優(yōu)化飽和壓降和開(kāi)關(guān)速度；實(shí)現(xiàn)安全操作區(qū)（SOA）和短路電流安全操作區(qū)域SCSOA性能最優(yōu)；改善IGBT有源區(qū)元胞設(shè)計(jì)可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應(yīng)；調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實(shí)現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。

19.中科君芯 

成立時(shí)間：2011年

業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)介：江蘇中科君芯科技有限公司是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。公司成立于2011年底，依托中國(guó)科學(xué)院的科研團(tuán)隊(duì)和研發(fā)平臺(tái)，結(jié)合海內(nèi)外的技術(shù)精英以及專業(yè)的市場(chǎng)管理團(tuán)隊(duì)共同組建而成。

作為國(guó)內(nèi)業(yè)界的領(lǐng)軍者，君芯科技是國(guó)內(nèi)率先開(kāi)發(fā)出溝槽柵場(chǎng)截止型（Trench FS）技術(shù)并真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)。公司推出的IGBT芯片、單管和模塊產(chǎn)品從600V至6500V，覆蓋了目前主要電壓段及電流段，已批量應(yīng)用于感應(yīng)加熱、逆變焊機(jī)、工業(yè)變頻、新能源等領(lǐng)域，并得到客戶的廣泛認(rèn)可。

君芯科技獨(dú)創(chuàng)的DCS技術(shù)將應(yīng)用于最新的汽車(chē)級(jí)IGBT芯片中。

20.無(wú)錫新潔能 

成立時(shí)間：2009年

業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)介：無(wú)錫新潔能專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷(xiāo)售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。

21.科達(dá)半導(dǎo)體 

成立時(shí)間：2007年

業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)介：科達(dá)半導(dǎo)體有限公司主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件( 電力電子器件）的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。公司擁有國(guó)內(nèi)一流的設(shè)計(jì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，所設(shè)計(jì)研發(fā)的IGBT及FRD產(chǎn)品國(guó)內(nèi)先進(jìn)。公司擁有省級(jí)設(shè)計(jì)中心，省級(jí)功率半導(dǎo)體工程中心，并配有功能齊全的性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)室和可靠性實(shí)驗(yàn)室。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電磁爐、小功率變頻器、逆變焊機(jī)、無(wú)刷馬達(dá)控制器、UPS、開(kāi)關(guān)電源、液晶電視及顯示器、太陽(yáng)能應(yīng)用等領(lǐng)域。

 22.西安芯派 

成立時(shí)間：2008年

業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)介：西安芯派電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱芯派科技)成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品包含：中大功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET，低壓至高壓全系列產(chǎn)品)、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、二極管(含快速恢復(fù)二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等。

 23.無(wú)錫紫光微 

業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)介：無(wú)錫紫光微電子有限公司是由紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術(shù)企業(yè)，是一家專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品銷(xiāo)售的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。

公司的團(tuán)隊(duì)是由一批在國(guó)內(nèi)外著名半導(dǎo)體公司工作多年的具有豐富產(chǎn)品設(shè)計(jì)、經(jīng)營(yíng)管理經(jīng)驗(yàn)的成員組成。公司開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)、儀器儀表、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

部分來(lái)源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)