POP芯片堆疊技術(shù)的趨勢和進步(PoP堆疊清洗劑)
POP芯片堆疊技術(shù),是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)品為提高邏輯運算功能和存儲空間而發(fā)展起來的一種新的高密度組裝形式。本文主要從設(shè)備技術(shù)的角度分析總結(jié)POP組裝工藝實現(xiàn)過程中的問題與對策。重點討論了POP組裝過程中主要工序工藝參數(shù)優(yōu)化方法和范圍,探討了工藝過程控制中應(yīng)關(guān)注的問題,這些都是確保POP芯片堆疊成功率的關(guān)鍵。
當(dāng)前PoP的趨勢和進步
當(dāng)前的趨勢是朝向更小化和更高密度的PoP發(fā)展,封裝到封裝的互連間距有0.5mm,這類封裝要求再回流時翹曲低至50μm,這類封裝也將會使底部PoP的底部上的焊球間距轉(zhuǎn)移到0.4mm,由于高
引腳數(shù)和受限的封裝面積(目標一般是12×12 mm或更小的封裝尺寸),需要在室溫下滿足共面規(guī)范,再回流時滿足在焊料熔點溫度以上的苛刻的翹曲規(guī)范。在表面組裝一側(cè),為使微細球間距的PoP組裝和再回流同時發(fā)生,正在引入改進的表面組裝工藝。當(dāng)今典型的表面組裝工藝包括在PCB上印刷焊膏、放置底部PoP、在熔劑內(nèi)電鍍頂部PoP焊球、在底部PoP上放置頂部PoP、在清潔干燥的空氣中通過熔爐再回流將其熔化。引入的新型工藝包含了在焊劑或焊料糊中熔化頂部封裝焊球,可以提高再回流過程中頂部到底部的封裝互連的魯棒性。
PoP的未來
新型PoP及其變化正在冉冉升起,可以解決目前傳統(tǒng)PoP的一些弱點。例如,隨著封裝變得越來越薄,焊球間距越來越小,一種控制PoP翹曲挑戰(zhàn)的解決方式是在組裝到PCB上之前將頂部和底部封裝組裝到一起。雖然這削弱了PoP在靈活性上的優(yōu)點,但是在基板組裝前進行“預(yù)疊層”是一項相對簡單的工藝,再回流過程中比較容易控制――再回流中PCB自身的翹曲。對預(yù)疊層PoP進行測試,可確保它是良好的,并且能夠展現(xiàn)出比單獨的頂部或底部PoP更低的翹曲,因此制造PoP類似于在PCB上組裝一個更加傳統(tǒng)的窄間距BGA。預(yù)疊層PoP非常吸引那些現(xiàn)在能為終端客戶提供低端邏輯器件和頂部存儲器件的器件制造商。這種選擇吸引的不是那些經(jīng)營移動手持設(shè)備的終端客戶,而是期待為自己的產(chǎn)品采用PoP的客戶。
PoP堆疊芯片清洗:PoP堆疊芯片/Sip系統(tǒng)級封裝在mm級別間距進行焊接,助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì),較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對較大的芯片空間,影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除,清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片,達到將殘留帶離的目的。合明科技研發(fā)的清洗劑具有卓越的滲入能力,以確保芯片間殘留活性劑被徹底清除。
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針對先進封裝產(chǎn)品芯片焊后封裝前,基板載板焊盤、電子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗,對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況,自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品,精細化對應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端,包括有水基清洗劑和半水基清洗劑,堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在,在同等的清洗力的情況下,合明科技的兼容性較佳,兼容的材料更為廣泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多(測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,離子殘留低、干凈度更好。
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以上為本公司一些經(jīng)驗的累積,因工藝問題內(nèi)容廣泛,沒有面面俱到,只對常見問題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時俱進,熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。
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