在半導(dǎo)體工業(yè)中，關(guān)于清洗是非常重要的一步，那在半導(dǎo)體行業(yè)中是怎么清洗的？
從沙礫到芯片，“點(diǎn)石成芯”會(huì)主要經(jīng)歷硅片制造、晶圓制造、芯片封裝和芯片測(cè)試幾大流程，清洗則貫穿了芯片制造的全產(chǎn)業(yè)鏈，也是重復(fù)次數(shù)最多的工序，這些工序包括三類：

1、在硅片制造過程：清洗拋光后的硅片，保證表面平整度和性能，提高后續(xù)工藝的良品率。

2、在晶圓制造過程：在光刻、刻蝕、沉積、離子注入、去膠等關(guān)鍵工序前后清洗，減小缺陷率。

3、在芯片封裝過程：根據(jù)封裝工藝進(jìn)行TSV清洗、UBM/RDL清洗、鍵合清洗等。

硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于去除這種沾污，使得硅片達(dá)到工業(yè)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)。自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開發(fā)出來。芯片發(fā)展有多久，清洗技術(shù)就有多久，早在上世紀(jì)50年代半導(dǎo)體制造界就開始注重清洗技術(shù)，并且它的重要程度會(huì)越來越高，市場(chǎng)需求也會(huì)越來越大。

伴隨制程工藝進(jìn)步，光刻和各種工藝數(shù)量激增，清洗步驟數(shù)量也隨之增加。據(jù)相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，在80nm~60nm制程中清洗工藝共有約100個(gè)步驟，而到了20nm~10nm 制程中清洗工藝增加到200個(gè)步驟以上。

部分清洗技術(shù)和化學(xué)溶劑還是會(huì)對(duì)電子元件表面造成損傷或與之發(fā)生反應(yīng)，廠商需要在產(chǎn)能與清洗技術(shù)之間進(jìn)行平衡，以保證電子元件的質(zhì)量。這些知識(shí)你都知道了嗎？

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